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EPS 0.71元、0.84元、0.97元，对应12.8倍、10.8倍、9.42倍P/E，1.31倍、1.19倍、1.08倍P/B。风险提示业务发展或低预期；行业估值中枢或现波动。森源电气重大事件快评
产量为11617.84万片，多晶硅电池产量为956.13MW、单晶硅电池产量为27.47MW、晶体硅电池组件产量为1323.98MW。公司为国内少数拥有晶体/硅锭生长、硅片加工、电池制造、组件封装

用地，海拔高程约 50m。项目总体规划装机容量 18MWp，本期规划容量 6MWp，占地约216.45 亩。共安装 275Wp 单晶硅电池组件 22007 块，实际装机容量
政府专项验收(含环保、水保等)配合生产移交;购买建设期工程保险以及质保期内的相关服务等。 B、施工图设计、竣工图设计等的设计及管理工作; C、配合办理项目开工的行政许可文件，包括但不限于规划许可

1810万千瓦，其中光伏领跑技术基地规模550万千瓦。业内专家表示，如此高占比的领跑者项目意味着对电站质量和高效技术愈发重视。以杜邦 Solamet PV19B正面银导电浆料为例，在前一代产品的基础上，该
产品可为光伏电池与组件制造商再提升超过0.1%的电池转换效率，旨在协助实现更低的总体单位生产成本，更高的利润率。根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，普通光伏项目多晶硅、单晶硅电池

光伏领跑者极速基地规模550万千瓦。业内专家表示，如此高占比的领跑者项目意味着对电站质量和高效技术愈发重视。以杜邦 Solamet PV19B正面银导电浆料为例，在新一代产品的基础上，该产品可为光伏电池与
组件制造商再提升超过0.1%的电池转换效率，旨在协助实现更低的总体单位生产成本，更高的利润率。根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》普通光伏项目多晶硅、单晶硅电池组件自项目投产运行之日起

可靠性高的双重优势。根据国际光伏技术路线图(ITRPV2015)预测(图一)及NREL的高效电池研究表明(图二)，随着电池新技术和工艺的引入，n型单晶硅电池的效率优势会越来越明显，且n型单晶硅电池
工艺技术路线; n型单晶硅电池正面效率达21%，背面效率达19%; 离子注入工艺在太阳电池量产上的应用。 n型单晶硅双面太阳电池除了具有正面效率高，背面也发电的特点，还具有较低的光致衰减和较好的弱光

电阻损耗、减小载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液
对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从

载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

方面着手。（1）减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

全球主要光伏市场，如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低
转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步

补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低。2015年，在内外部环境的共同推动下
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。 1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括： A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。 B.电阻损耗，电池片本身的

OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼
单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的

。单晶硅电池与多晶硅电池之间的竞争，从来就没有停歇过，近期愈演愈烈。 单晶硅电池说：我资历老、高效、性能稳定; 多晶硅电池说：我性价比高! 到底哪种更好?本文收集了2012年
：单晶硅(绿色)和多晶硅(黄色)的效率是交错排布的。衰减率最低的是D厂家的单晶硅组件，最高的B厂家的单晶硅组件。这张图也说明，组件厂家的生产质量对衰减率的影响，可能高于组件类型对衰减率的影响

。单晶硅电池与多晶硅电池之间的竞争，从来就没有停歇过，近期愈演愈烈。单晶硅电池说：我资历老、高效、性能稳定；多晶硅电池说：我性价比高！到底哪种更好？本文收集了2012年~2016年的一些公开文献资料中的
，如下图所示。　　图5：不同品牌的光伏组件衰减率情况从上图中可以看出：单晶硅（绿色）和多晶硅（黄色）的效率是交错排布的。衰减率最低的是D厂家的单晶硅组件，最高的B厂家的单晶硅组件

2013年4月收购了产能100MW的美国单晶企业TetraSun;SolarCity于2014年6月收购Silevo并规划1GW单晶电池工厂;茂迪、昱晶及旭泓等台系电池厂纷纷扩张单晶硅电池产能;保利协鑫
) 单晶硅电池比多晶硅电池的少子寿命和转换效率更高，效率提升空间更大;4) 单晶硅组件更高的集约性，更适用于屋顶等有限安装面积的分布式小型电站。5) 单晶硅电站比多晶硅电站的实际发电量多5~6%以上，单晶硅

2013年4月收购了产能100MW的美国单晶企业TetraSun;SolarCity于2014年6月收购Silevo并规划1GW单晶电池工厂;茂迪、昱晶及旭泓等台系电池厂纷纷扩张单晶硅电池产能;保利协鑫
的机械强度，更低的碎片率。 3) 单晶硅电池比多晶硅电池的少子寿命和转换效率更高，效率提升空间更大; 4) 单晶硅组件更高的集约性，更适用于屋顶等有限安装面积的分布式小型电站。 5) 单晶硅电站

加装铝合金的边框，并在铝合金边框和层压结构之间填满硅胶(密封并抗震)。其中多晶硅电池的效率略低于单晶硅电池(10%左右)，但因为多晶硅的生产工艺比单晶硅造价稍低，总体算来多晶硅电池的性价比
略高于单晶硅。因此在家用系统中，多晶硅电池的使用较单晶硅更普遍一些。但单晶硅电池因为效率更高，其生产成本也在逐渐降低，因此也渐渐为更多的追求性能的家庭用户所选择。从外观上观察，多晶硅组件一般为

，一般都会加装铝合金的边框，并在铝合金边框和层压结构之间填满硅胶(密封并抗震)。其中多晶硅电池的效率略低于单晶硅电池(10%左右)，但因为多晶硅的生产工艺比单晶硅造价稍低，总体算来多晶硅电池的性价比
略高于单晶硅。因此在家用系统中，多晶硅电池的使用较单晶硅更普遍一些。但单晶硅电池因为效率更高，其生产成本也在逐渐降低，因此也渐渐为更多的追求性能的家庭用户所选择。从外观上观察，多晶硅组件一般为靛蓝色，表面