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新疆3B期项目将采用新的设计、工艺、技术和设备，进一步把公司的多晶硅产品质量提升到电子级。扩产后新增的多晶硅产品将拥有超高的纯度，定位于高质量太阳能单晶硅片和半导体的应用。
今年10月，公司董事会已经正式批准启动新疆3B期多晶硅扩产项目。新疆3B扩产项目将把公司的年产能从目前的1.8万吨提高到2.5万吨。

N型硅片影响要大，即在相同金属污染的情况下，N型硅片的少子寿命要明显高于P型硅片。
如图3所示，Fe,Cr,Co,W,Cu,Ni等金属对P型硅片少子寿命的影响均比N型硅片大，由于带正电荷的金属元素具有很强的捕获少子电子的能力，而对于少子空穴的捕获能力比较弱，所以对于少子为电子的P型硅片的影响比少子为空穴的

该公司始创于1959年，是全球领先的半导体及光伏行业硅材料的鼻祖之一。该公司长期为全球领先光伏组件企业提供多晶硅原料、硅片等产品，并于2010年逐渐向光伏电站开发领域拓展。
但在2016年“6·30”之后，硅片市场需求量萎缩，价格跌幅至第三季度末期才维持稳定，从而影响了该公司硅片业务的盈利情况。需注意的是，今年第一季度，硅片行业前景堪忧。

2、全球和中国下游光伏市场光伏发电是指利用太阳能半导体的光伏效应，将太阳光的辐射能量转化为电力的一种发电方式。
5.2、绝对估值、相对估值和目标价我们采取DCF绝对估值、P/E和P/B相对估值法来为公司股价进行估值，并采取三者平均作为公司的目标价。

2016年10月24日，晶科能源宣布，公司被任命为2017年B20峰会能源和气候工作组六个联席主席之一，受德国B20轮值主席的直接领导。
2016年9月4至5日，高纪凡应邀出席B20峰会。高纪凡表示：通过参与B20峰会与全球商业领袖交流，我希望传递更多关于创新、包容发展的信息与理念。

2016年10月24日，晶科能源宣布，公司被任命为2017年B20峰会“能源和气候”工作组六个联席主席之一，受德国B20轮值主席的直接领导。
2016年9月4至5日，高纪凡应邀出席B20峰会。高纪凡表示：“通过参与B20峰会与全球商业领袖交流，我希望传递更多关于创新、包容发展的信息与理念。

4)硼铁(Fe-B)对的分解-复合模型。Fe-B对分解成Fe和B，高能级的Fe复合中心使硅片受到Fe污染，从而引起电池性能下降。
1LID的影响因素影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳(C)含量。

而硅基半导体的PN结Tj标定值也只有150C。很明显，随着电池片效率的提升，组件热斑温度还将进一步升高，传统组件的设计已经不能满足组件长期安全可靠工作的要求了。
图一图二(6) 遮挡面积的确定a) 电池片没有遮挡时，对应面积为0%；b) 按IEC 61215 第三版确定Imp时遮挡面积；无热斑组件Imp 的遮挡面积为6.18%；传统组件Imp

烧蚀时，激光的热效应会对硅片造成损伤。实验中采用弱碱清洗和退火来降低激光的损伤。激光烧结工艺：将硅片放入1%的弱碱溶液1min，再将硅片放入退火炉中，在500℃下退火10min。
反射率、扩散方阻以及硅材料本身的参数设定后，改变特定厚度下的表面复合速率，即可得到同一厚度下不同复合速率的硅片模拟效率。改变特定复合速率下的硅片厚度，即可得到同一复合速率下不同厚度的硅片模拟效率。

N型硅片影响要大，即在相同金属污染的情况下，N型硅片的少子寿命要明显高于P型硅片。
如图3所示，Fe，Cr，Co，W，Cu，Ni等金属对P型硅片少子寿命的影响均比N型硅片大，由于带正电荷的金属元素具有很强的捕获少子电子的能力，而对于少子空穴的捕获能力比较弱，所以对于少子为电子的P型硅片的影响比少子为空穴的

图表8：2011年-2013年硅片价格走势数据来源：中国产业信息网硅片价格受硅料影响有限，截止2014年年底，156多晶硅片价格为0.88美元/片。
（二）硅片价格走势2013年156多晶硅价格稳定在0.842美元，125单晶硅片稳定在0.714美元，需求集中在日本、台湾和韩国市场，价格相对稳定，从结构上说多晶硅片由于价格优势，需求相对较好，单晶和多晶硅片的价差逐渐缩窄

7（a）、（b）中可以发现，黑硅表面小山峰的底部有富N型层。气孔是Ag2O和SiNx反应产生的气体生成的。电流通过理想的金属半导体接触从硅中传输到Ag结晶中，串阻会很低。
为了进一步降低多晶硅片表面的反射率，人们尝试和研究了很多种制绒方法。在硅片表面制备纳米结构，有效降低了反射率，硅片看上去是黑色的，被称作黑硅。

因FZ工艺成本较高，主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但目前一些公司已对FZ工艺进行相关改造，降低了成本。以适合于太阳电池硅片的制造。
使用此类材料生产的太阳电池不但效率低，而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。

因FZ工艺成本较高，主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但目前一些公司已对FZ工艺进行相关改造，降低了成本。以适合于太阳电池硅片的制造。
使用此类材料生产的太阳电池不但效率低，而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。 2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。

因FZ工艺成本较高，主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但目前一些公司已对FZ工艺进行相关改造，降低了成本。以适合于太阳电池硅片的制造。
使用此类材料生产的太阳电池不但效率低，而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。