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。 2017年项目：节能环保LOW-E中空玻璃，镀膜中空玻璃。东方日升 2018年上半年项目：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅
、N型双面太阳电池制备工艺的研究、太阳电池激光制绒技术的研究、黑硅电池五主栅电池技术的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、航天机电 2018上半年：大汽车热系统技术研发和资金投入，组串级逆变

：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM
EVA胶膜的研发等。 2017项目： PERC单多晶高效太阳能电池、MBB低电流太阳能双玻组件、N型双面太阳电池制备工艺的研究、太阳电池激光制绒技术的研究、黑硅电池五主栅电池技术的研究、黑硅电池与

发展的顶层设计，鼓励省内外优势企业、高校、院所的产学研协同，集中突破氢能产业核心技术，支持整车生产企业提升燃料电池整车制造能力。开展氢气制备、储运、燃料电池汽车等应用示范，优化氢能基础设施布局，通过
技术研发。发展低能流密度资源条件下的高效转换新技术、新方法，重点研发原创性的海洋能发电装置及关键部件;探索盐差能海洋能发电及综合利用机理，研发相应的发电原理样机。发展自主创新的海洋能发电装置实验室

薄膜厚度和折射率的影响实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
过程中出现的薄膜破裂及纯度不高的问题进行了工艺参数优化;文献研究了硅烷浓度、存底温度等工艺参数对PECVD沉积产物特征的影响。然而,现有的试验方法均属于单响应物理试验,需要耗费大量的时间和经费

已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将
优点在于其自限制性，因而可以精确控制薄膜的厚度和质量，从而具有很好的台阶覆盖性和大面积厚度均匀性。基于上述原子层沉积法的优点，J.Schmidt等人利用原子层沉积法制备Al2O3作为背表面钝化膜制备出

恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
中的间隙氧原子。同时，由两个间隙氧原子组成的双氧分子O2i与替位的硼原子结合，从而形成B-O复合体。这种观点已得到Adey等的理论计算支持，并提出了如下反应的B-O形成机制模型。 2 改进

过程中产生黑斑的可能。利用x射线荧光光谱分析(xrf)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域，发现黑斑处ca含量较大，并出现sr、ge和s等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm2cm的电池样片，利用光生
检测电池片和组件缺陷的方法。 EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)与电流密度成正比，在有缺陷的区域，其少子扩散长度低，发光强度弱。通过EL测试图像的分析，可以清晰地发现

，实现晶体硅太阳电池的效率提升。图2. 针对性的高效路线(照片来源网络) 对应地，现阶段电池的提高电池转换效率也有三条主线组成，如图2： (1)金属电极优化，提高入射光的利用率，可制备
IBC、MWT等电池; (2)高质量的硅材料，结合背面钝化来降低背面复合速率，以及双面技术的引入，可制备PERC、PERT、PERL电池; (3)通过异质结结构，提高内建电场，如HIT、HJT以及

产生黑斑的可能。利用x射线荧光光谱分析(xrf)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域，发现黑斑处ca含量较大，并出现sr、ge和s等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm×2cm的电池样片，利用光生诱导
检测电池片和组件缺陷的方法。 EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)与电流密度成正比，在有缺陷的区域，其少子扩散长度低，发光强度弱。通过EL测试图像的分析，可以清晰地发现

1引言金刚线切割技术也被称为固结磨料切割技术。它是利用电镀或树脂粘结的方法将金刚石磨料固结在钢线表面，将金刚线直接作用于硅棒或硅锭表面产生磨削，达到切割的效果。金刚线切割具有切割速度快，切割
来制备绒面。反应原理如下化学反应方程式 Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 从本质上讲,绒面形成过程是:NaOH溶液对不同晶面的腐蚀速率不同，(100)面的腐蚀速度比

过程中产生黑斑的可能。利用x射线荧光光谱分析(xrf)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域，发现黑斑处ca含量较大，并出现sr、ge和s等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm2cm的电池样片，利用光生
的检测电池片和组件缺陷的方法。 EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)与电流密度成正比，在有缺陷的区域，其少子扩散长度低，发光强度弱。通过EL测试图像的分析，可以清晰地发现

质量要求非常严格，随着消费大众对显示屏的显示质量要求越来越高，相应的增加面板厂商的制备工艺难度，还有小于1 mm超薄基板玻璃的生产、运输和后加工，这一系列过程都对基板玻璃的理化性质和质量提出非常严格的
要求。上述TFT-LCD基板玻璃的理化性能主要是由玻璃的化学组成来决定的，为满足液晶面板基板玻璃的各项要求，美国康宁、日本旭硝子等选择的玻璃体系为SiO2-Al2O3- B

，实验中半片组件比整片组件片间空隙增加了9.5cm2，增加了光线对电池片的受光量，同时减少了光学损失。 2.2遮挡实验对比分析按照实验内容1.2中实验方法，测试A、B、C
整片组件和144半片多晶组件，每种类型制备2块组件，具体样品类型及数量见表1。 1.3实验内容实验一：测试2块72片多晶整片组件和2块144片多晶半片组件的EL及电参数，并进行对比

设备本实验采用多晶P型硅片尺寸为156.75mm156.75mm，厚度为(20020)m，电阻率为1～3˙cm。实验采用常规的太阳能电池生产线工艺制备多晶硅电池片。即C-Tex清洗制绒去除硅片表面
):测量晶硅太阳能电池的电学性能; EL测试机:测试电池片质量。 1.2实验方法实验一:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片，分别进行实验工艺和正常生产工艺。实验工艺调整扩散推进温度

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
结果可知（如图2），相比于P型常规电池，nPERT电池具有更好的长波响应，可将更多长波长的光吸收，尤其是制备成双玻组件后背面可更高效率的吸收反射光和散射光。图2 nPERT电池与常规P型电池EQE

选择性发射结结构，方块电阻达150ohm/sq，并采用Al2O3/SiNx进行表面钝化和减反射以降低表面复合速率和反射率。背面首先在电池背面采用湿化学方法制备一层超薄SiO2，厚度约1~2nm，然后再
MakotoTanaka和MikioTaguchi第一次成功制备了HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThinLayer）电池。HIT电池结构简单，其中间衬底为N型晶体硅，通过PECVD方法