光伏咨询搜索-索比光伏网

上集成PERC技术存在诸多困难，其中包括光致衰减(LID)以及光致高温致衰减(LeTID)等效应。根据UNSW和一些其他研究机构的报道，多晶硅PERC 目前存在两种衰减模式:1)快速衰减模式，发
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

。 18 接线盒硅胶不固化 1.硅胶配比不符合工艺要求造成硅胶不固化。 2.出胶孔A或B胶孔堵住未出胶造成不固化。组件影响 1.硅胶不固化胶会从线盒缝隙边缘流出，盒内引线会暴露在空气中遇雨
;第二类，组件初始的光致衰减;第三类，组件的老化衰减。组件影响 1.组件输出功率逐渐下降。预防措施 1.加强光伏组件卸车、倒运、安装质量控制; 2.光伏组件功率衰减测试可通过光伏组件I-V特性

本文将电阻率为0.2～4 cm 的掺镓硅片分别制备成常规铝背场电池和PERC 电池，并对电池的少子寿命、电性能参数和光致衰减进行测量，研究了电池性能的差别，为掺镓硅片投入工业化生产提供了参考
片，测试每片电池的电性能，并计算各项参数的平均值。图2a 为不同电阻率的掺镓硅片制成常规铝背场电池的电性能数据，图2b 为不同电阻率的掺镓硅片制成PERC 电池的电性能数据

威尔士大学合作开发氢钝化技术，能将多晶PERC电池片光致衰减比率降为零。 2017年7月，上海尚德成功开发P型双面PERC电池和组件产品。双面PERC电池正面电池转换效率达到21.4%以上，同时背面
接触区域的复合，如采用局部B掺杂; (5)采用高质量硅片，如提高硅片的少子寿命; (6)双面PERC电池。来源：B Min, M Mller , H Wagner, ARoadmap

%和0.48%，表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧(B-O)复合体浓度分别为1.381011和7.011011 cm-3，再生处理后的B-O复合体浓度
摘要：掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题，研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400

PERC电池降低光致衰减效应，还要求银浆拥有宽的烧结工艺窗口，能够适应低温烧结。随着PERC电池的快速发展，市场对PERC电池专用金属导电浆料的需求越来越强烈。为了配合PERC电池对浆料的特殊需求，浆料
，PERC单晶组件在近6个月的运行中平均多发电3.4%。存在的问题虽然PERC电池产业化的号角已经吹响，但仍存在一些问题有待业内同行解决，最为突出的就是PERC电池的光致衰减。令人欣慰的是已有

等一系列优势。 PERC电池的光衰问题 P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池
，单晶PERC的光衰主要与电池中B-O对有关，此类衰减可通过降低硅片中氧含量、掺Ga、光照+退火等工艺消除。图二单晶PERC电池的LID衰减和恢复机理图三国产PERC电池的光照恢复

完全接触，而PERC 太阳电池铝背场是通过激光开窗的空洞区域与硅片进行局部接触。图3 为n 型晶体硅太阳电池结构示意图。n型晶体硅太阳电池较p 型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、光致衰减小等
高效的新型晶体硅太阳电池。其主要优势有：1) 采用低温技术，整个烧结工艺可在200 ℃左右完成，减少能耗，降低成本;2) 光电转换效率高;3) 稳定性好，没有形成B-O复合体而导致的光衰效应

化现状技术2：PERC+SE技术在PERC技术上，进一步采用选择性发射极和局部B掺杂。目前Solarworld公司采用选择性发射极结构产线效率达到21.4%，Trina 也采用此技术在
中试线上小批量平均效率达到20.9%，最高效率达到21.4%。帝人结合丝网印刷及激光掺杂技术同步实现局部开孔并形成B掺杂层，可以实现效率提升0.2-0.3%。技术3

光伏电站现场测试发现，在建成1至2年后出现部分组件功率大幅下降的现象，有些组件功率衰减竟高达50%以上。组件衰减诱因很多，如光致衰减、老化衰减、隐裂、电池片破裂等，其中重要原因之一是组件PID效应。下图
，如图4(b)所示。图4 负极虚拟接地方案集中式与组串式逆变器均可采用负极虚拟接地方案来抑制组件PID。由于集中式与组串式逆变器的组网形式不同，使得两种类型逆变器的负极虚拟

摘要：结合在组件生产和电站质量管理中遇到的问题，对组件材料老化衰减及组件初始光致衰减原因进行了分析和实验测试，提出相应对策。结果表明：组件材料老化功率衰减主要是EVA和背板老化黄变引起，组件初始功率
直接关系到组件的发电效率。国内组件的功率衰减与国外最好的组件相比，仍存在一定差距，因此研究组件功率衰减非常有必要。组件功率衰减包括组件初始光致衰减、组件材料老化衰减及外界环境或破坏性因素导致的组件功率

光伏组件制作完成之后，进行功率测试时，组件功率正常，但在光伏电站安装并运营时发现组功率衰减较大，这种现象大多是由于光伏电池光衰引起的。光伏电池光衰可分为两个阶段：初始光致衰减和老化衰减。初始
光致衰减 初始的光致衰减，即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降，但随后趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂

。（十八）接线盒硅胶不固化 1.硅胶配比不符合工艺要求造成硅胶不固化。 2.出胶孔A或B胶孔堵住未出胶造成不固化。组件影响： 1.硅胶不固化胶会从线盒缝隙边缘流出，盒内引线会暴露在空气中
因素导致的组件功率衰减；第二类，组件初始的光致衰减；第三类，组件的老化衰减。第二类、第三类是组件影响： 1.组件输出功率逐渐下降。预防措施： 1.加强光伏组件卸车、倒运、安装质量

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
少子寿命高、无光致衰减等优点。常规P型电池由于使用硼掺杂的硅衬底，长时间光照后易形成硼氧键，在基体中捕获电子形成复合中心，导致3~4%的功率衰减；而nPERT电池使用N型硅衬底，磷掺杂的基体使得电池

索比光伏网讯:摘要:目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升
晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷