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低功率衰减、低温度系数、高双面率发电优势显著低衰减率、低温度系数及高双面率等多重优势于一体，使得N型组件拥有更优异的发电性能。
N型组件和P型组件单瓦发电量对比数据得益于N型技术在功率衰减性能方面具备的天然优势(无B-O复合体)，N型组件首年衰减为1%，年度线性衰减为0.4%，而P型组件首年衰减为2%，年度衰减为0.45%。

最终会形成一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡少子空穴避免复合，进而实现电子在多晶硅层的横向传输并被金属收集

B ●另一方面避免了高温焊接带来的应力、焊接不良和隐裂等诸多问题，大幅提升了组件在实际应用中的稳定性和可靠性，并且这种无焊接应力的电路板先进封装方式特别适合于超薄硅片电池的应用。
目前多晶硅片平均厚度在180um，P型单晶硅片和TOPCon电池的N型单晶硅片厚度都在175um，用于异质结电池的硅片厚度可降到150um，用于MWT和IBC这两种背接触技术的电池最低可降到130um，

SHJ太阳能电池的简单结构，结合其高效率和低温处理的优势，使它们对光伏产业非常有吸引力 SHJ太阳能电池的简单结构，结合其高效率和低温处理的优势，使它们对光伏产业非常有吸引力。
掺杂的层完全被氧化铟锡(ITO)膜覆盖，然后使用低温导电(LTC)Ag浆料丝网印刷接触金属栅格以进行电流收集。为了增强ITO层和接触栅格的性能，需要进行一次低温退火。

但要提高电池效率，印刷浆料必须(a)在低表面浓度下也能保证低接触电阻，或者(b)本身含磷掺杂源并在烧结时能扩散入Si形成重掺; (2)inkjet printing印刷约30-50m的细栅。
并保证一定的表面掺杂浓度(较小的接触电阻)，激光的波长、脉冲频率和功率都需仔细权衡，并且稳定控制才能达到生产需求; (2) 金字塔绒面需控制得比较小而均匀; (3)如采用电镀Ni作为种子层，还要经过一道低温烧结工序

因此，多晶硅片迫切需要降低成本和市场价格，拉开与单晶硅片的价格差距，以维持市场竞争力。多晶硅片行业正在推进普及金刚线切割取代砂浆切割工艺，可以有效降低多晶硅片成本。
多晶硅片用湿法黑硅技术成本增加0.2元/片(考虑到中国趋于严格的环保要求，为实现完全达标排放，可能还需增加废液处理成本)，再使用PERC技术成本增加0.5元/片，也就是说，当单晶和多晶硅片价差(含增值税

研究认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B-O对原因外，还有仍在研究中的未知因素，可能与多晶硅中更高的金属杂质含量有关。
无论单晶硅还是多晶硅，未来不断改善拉晶/铸锭工艺，提高硅片质量，制造出高质量单晶硅片及高质量多晶硅片，将是PERC及其他高效电池的发展方向。

另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度，导致材料性能变差。
其次，非晶硅薄膜无法承受较高温度的后续工艺，后道必须使用高成本低温工艺和材料。另外，TCO薄膜成本较高，且产量有限。所以在保证高效的情况下，大规模的量产还需要进一步的研究。

研究认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B-O对原因外，还有仍在研究中的未知因素，可能与多晶硅中更高的金属杂质含量有关。
无论单晶硅还是多晶硅，未来不断改善拉晶/铸锭工艺，提高硅片质量，制造出高质量单晶硅片及高质量多晶硅片，将是PERC及其他高效电池的发展方向。