【导语】科技领军人物大奖，用以向那些对事业孜孜以求，在产品研发、技术创新领域留下了闪光的足迹，其带领的团队研发的产品对于企业和光伏行业有着深远的影响的优秀科技人才致敬。
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游达，中国科学院微电子专业博士研究生毕业，现任江苏协鑫硅材料科技发展有限公司总工程师，具备丰富的半导体行业和光伏行业工作经验，精通半导体器件物理建模及器件的失效分析。后进入光伏行业，从事多晶铸锭及硅片技术的技术研发工作，主持开发了一些列的高效多晶太阳能硅片产品。
2011年~2013年，太阳能级高效多晶“鑫多晶S1、S2、S3”项目，高效多晶光电转化效率18.20%；2012年开始进行铸锭准单晶 “鑫单晶G1、G2”项目，“鑫单晶G2”一类片等级占比30%以上，光电转化效率＞19.80% ； 2013年开始进行N型准单晶项目的研发及产业化，现光电转化效率达19.50%以上。作为项目负责人主持“高性能低成本N型光伏准单晶硅锭、硅片先进制备技术开发与产业化”，获江苏省重大科技成果专项资金支持；2013年08月，获得江苏省“双创人才”计划。
2014年，游达带领团队研发太阳能级高效多晶“鑫多晶S3+”项目，高效多晶光电转化效率18.30%，8月份，作为团队领军人物，获得江苏省“双创团队”。
2015年，游达成功研发出新一代产品“鑫多晶S4”，多晶硅片光衰降低至0.5%，获得市场高度认可；同时游达着力打造省重点实验室，并于4月获批“江苏省硅基半导体材料重点实验室(筹)”，并兼任重点实验室主任。
自2011年6月任职江苏协鑫硅材料科技发展有限公司以来，做出了许多突出成就，从一开始的技术总监到研发总监再到总工程师，每一步都是成就的积累，每一段经历都是技术的铺垫。
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