硅基IGBT功率器件
、首航新能源、易事特、艾罗能源等逆变器厂商的代表齐聚深圳，共同参加了在安森美深圳工厂举办的可再生能源模组产能扩产庆典。众所周知，功率器件、模块是决定光伏逆变器工作效率的重要部分。从2020年起，IGBT
≥80%），车用DC/DC（输入电压100V～400V），大功率电子器件（IGBT，电压等级≥750V，电流≥300A）；插电式混合动力机电耦合驱动系统；燃料电池发动机（质量比功率≥350W/kg
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块，进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
第七代产品。同时IGBT厂商也在加快自有产线建设节奏，闻泰科技、时代电气、士兰微和华润微等IDM厂商在IGBT产线上均有布局，预计未来两年有望进一步加快产能释放节奏。国内功率器件主要上市公司2021年
赛道中激烈的角逐。 从行业发展角度与能源利用率来看，碳化硅光伏逆变器有望替代传统的硅基光伏逆变器，并成为行业发展的重点。据了解，使用碳化硅功率器件的光伏逆变器在系统转换效率方面能够很好的保持在96
中车时代电气，还有拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线的华润微;全球首家提供场截止型绝缘栅双极型晶体管(FS IGBT)量产技术的8英寸集成电路芯片的华虹半导体以及在全球IGBT分立器件
集中式逆变器的主要原因在于成本高昂，单机最大功率也受到功率器件、线路布置等限制，但得益于上游IGBT和MOSFET等核心元器件的迭代升级，叠加功率模块技术不断发展，组串式逆变器单机功率密度不断提高，价格
。 本次推出的1200V 80m 碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有更高、更快、更强的特性更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得
和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。每四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅控制的
缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差
开关损耗小和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。第四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅
