方法
通过进一步分析，科学家发现水平排列的PMEAI抑制了Pb和I空位的缺陷，并诱导钙钛矿/C60界面内建电场的反转，从而最大限度地减少界面复合损失。他们解释说，界面电场被PMEAI反转，从C60指向钙钛矿，显著加速电子提取并抑制复合，从而突破了钝化层对电流密度和填充因子的传统限制。电池在65摄氏度下1500小时后，仍保持97%的初始效率。
总之，本研究展示了一种可扩展的、无溶剂的、工业兼容的卤化物钙钛矿LbL异质外延生长方法，在室温下保持衬底的同时，实现了III-V族外延级的精度，所得到的CsPbBr3-PEA2PbBr4异质结构表现出埃级的精度和均匀的层厚，低至单层，这对于量子限制应用是重要的;据我们所知，在钙钛矿相关的异质外延中还没有实现这种精确的LbL生长。我们预计LbL外延也可以扩展到其他卤化物系统，尽管对于碘化钙钛矿，需要进一步考虑相管理，以允许在生长条件下形成所需的相。
中国几所大学的研究人员报告说，通过引入三氟甲磺酸钠作为双功能离子调节剂，钙钛矿太阳能电池制造取得了进展。本研究建立了一种综合分子水平策略，用于调节钙钛矿体系中的结晶动力学和缺陷化学。NaOTF介导的离子调控框架为高效、长期稳定的钙钛矿太阳能电池的设计提供了一种通用且可扩展的途径，为下一代光电器件中的受控晶体生长和缺陷钝化提供了宝贵的指导。
为了克服这些限制，联合研究团队通过应用真空沉积技术生产了均匀的钙钛矿薄膜。通过将其与HDHyundaiEnergySolutions拥有的高效异质结硅电池集成，他们在干式沉积叠层结构中实现了28.7%的效率。
同时，偶极钝化有效减轻了叠层器件互连层引入的NBG子电池的接触损耗，在全钙钛矿串联太阳能电池中表现出创纪录的30.6%的PCE。这标志着多晶薄膜太阳能电池的效率首次超过30%。
然而，目前准二维钙钛矿的效率尚落后于3D电池，原因是其有机基团的存在通常会带来多相共存结构，其不利的量子阱的排布方式将削弱电池性能。因此，深入理解量子阱排列如何影响载流子传输，进而实现对其有效操控，已成为进一步提升钙钛矿电池效率与稳定性的关键突破口。大连理工大学魏一团队提出一种精准调控准二维钙钛矿的量子阱排列方法，有望解决了效率与稳定性的制衡问题。
德国德累斯顿工业大学YanaVaynzof团队提出了一种新型分析方法，通过弱吸收与强吸收区间内的内量子效率计算光电子参数。相关成果以“SimpleDetectionofImperfectChargeExtractionatContacts-ApplicationtoPerovskiteSolarCells”为题发表在期刊AdvancedEnergyMaterials上。值得注意的是，研究选择移除ETL而非空穴传输层，旨在避免后者对钙钛矿晶化过程的影响。重建曲线与实测光谱在整个波长范围内高度吻合，特别是在强吸收区域，这不仅证实了基于泰勒近似的收集函数模型的正确性，也支持了界面主导电荷提取的假设。
所提出的方法无需依赖瞬态技术或传统假设完美载流子提取的IQE模型，即可快速评估器件界面性能。文章亮点：1.新型IQE线性化分析方法：通过强吸收与弱吸收极限下的IQE线性拟合，直接提取界面收集效率fc及其空间梯度，无需依赖瞬态测量或理想化假设。
金属卤化物钙钛矿薄膜的制备目前严重依赖反溶剂的使用。本研究提出了一种真空淬火结合晶体生长调节剂的方法，该方法无需反溶剂和二甲基亚砜，通过形成含非晶态络合物的中间膜，实现了对锡钙钛矿晶体生长的调控。大面积制备与模块化应用：实现了最大7.5×7.5cm的均匀锡钙钛矿薄膜制备，并成功构建了活性面积为21.6cm的七电池模块，展示了其良好的可扩展性与产业化潜力。
为此，研究者寻找了有效的高度挥发性主要溶剂和路易斯碱添加剂的组合，以实现无抗溶剂的锡钙钛矿薄膜制备。因此，1-乙烯基咪唑被选为晶体生长调节剂，并进行了进一步研究。中间相的表征真空淬火后的薄膜呈现棕色半透明的外观，与退火后获得的黑色钙钛矿薄膜不同，表明形成了中间相。这些结果表明，V-CGR方法适用性广泛，无论下层的疏水性或钙钛矿的组成如何，均能有效应用。
