化学汽相沉积
(microporous film)。2005年9月，成立德山化学(浙江)有限公司(Tokuyama Chemicals (Zhejiang) Co., Ltd. )，生产销售汽相沉积的高纯硅(fumed
》。 该所已建成一条相对完整的晶体光伏电池中试线(可年产光伏组件50kW/年)，包括：高纯水制备、半导体清洗、扩散、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束
、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束溅射镀膜等，还备有一些常规的半导体、薄膜及太阳电池测试分析手段，如四探针Hall效应测试仪、高频、准静态C-V
完整的晶体光伏电池中试线(可年产光伏组件50kW/年)，包括：高纯水制备、半导体清洗、扩散、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束溅射镀膜等，还备有一些
空间。在常用的液相和汽相沉积法制备的钙钛矿薄膜中，膜表面微观形貌如晶块尺寸、晶块形状和晶块边界等有很大差异，这阻碍了对材料关键性质的进一步改善。先前的研究普遍认为，钙钛矿膜表面微观形貌的非均一性对薄膜
相同，以往的制造过程需要在高温环境下进行，同时还需要刺激性化学品。而这种情况下，基板和太阳能电池单元都是通过使用汽相沉积技术制造而成。目前这个演示装置的太阳能电池的效率并不是很高，因为电池重量太轻，但是其
钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上
35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源
空调制冷剂替代技术、二氧化碳热泵技术；推广能效等级为一级和二级的节能家用电器、办公和商用设备。高效照明产品。加快半导体照明（LED、OLED）研发，重点是金属有机源化学气相沉积设备（MOCVD）、高纯金
机，硅片自动分选机等关键生产设备。支持多槽制绒清洗设备、全自动平板式等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、全自动印刷机、快速烧结炉等晶硅太阳能电池片生产线设备和
