p型硅片

法测得少数载流子寿命高达10000微秒。一般认为，n型单晶电阻率最高可达4000欧姆一厘米，即使采用普通纯度的钳祸和多晶硅原料，电阻率也可达1000欧姆一厘米，且重现性也好。P型单晶的电阻率可达500

　　单晶硅棒品质规格： 单晶硅棒的主要技术参数 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定

层，并作为n型层，与p型材料形成p-n结，从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响，特别是对电池转换效率有很大影响。 一般认为，窗口层对光激发载流子是死层，其原因是，（1）CdS层高

广泛应用于太阳电池窗口层，并作为n型层，与p型材料形成p-n结，从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响，特别是对电池转换效率有很大影响。 一般认为，窗口层对光激发载流子是死层，其

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。 （6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和

年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原
225MW。预计在目前全球太阳级硅原料紧缺的情况下，各种薄膜电池的总和到2010年有可能到达1~2个GWp，占全球光伏市场的10—20%。q8}HP oF0u其它方面：聚光电池又成新的热点，高倍聚光