p型硅片

41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低寿命衬底尤为重要；V型槽可使发射极横向电阻降低3倍。由于PESC电他的最佳发射极方块电阻在150／口以上，降低发射极电阻可提高电池填充因子
索比光伏网讯:一、钝化发射区电池（PESC）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以

更为夺人眼球的新产品便是全新一代的MWT背接触多晶电池组件(又名Benu金乌265瓦组件)，其外观独特精美、占地空间少，但其输出功率却高达265瓦型电池组件产品基于产线常规的多晶硅片，采用激光开孔、背面
接触电池组件的公司！在提及天威新能源的技术路线图时，路博士对记者透露，天威正在致力于P型晶硅电池先进背面钝化技术、高效低成本N型电池技术等新产品新技术的研发。未来天威将努力持续进行高效低成本光伏产品和

。在太阳电池的常见工艺中，常常是在含硼的磷型硅片上扩磷，所以要去除的主要是周边扩散了磷的部分。为了将扩散所得的硅片制成P-N结，我们得把四周的N型层去掉。背面的N型层可以用补偿法消除，用丝网印刷铝浆

1#银粉的转换效率高而接触电阻却较低，这可以说明在相同的粒度范围内，银粉以亚球形比混合型好。相比P-1#和P-2#银粉，银粉粒度增大，但电池片转换效率反而下降，且接触电阻增大。说明银粉的粒度分布大于纳米

转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图4显示的是效率相近的常规电池（CellⅠ）和高方阻（CellⅡ）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在段
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

波长光的透射率为37.1%，而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱
焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题，会造成较高的接触电阻，降低组件的输出电流；不合适的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论不同氮化硅

，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图四显示的是效率相近的常规电池（CellI）和高方阻电池（CellII）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在短波
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

主要有很多的技术可以选择，达到19的效率可以有很多的选择，你怎么把传统的工艺做一些优化，比如离子注入等，我们认为19到20之间可能这个技术是一个主要可以量产的技术，我们采取的技术方案还是用P型硅片，是

工艺非常简单，第一步就是这个硅片要拿来清洗制绒，第二个就是一步的高温扩散，大家都是用P型电池，非常容易，而且现在这种扩散设备越来越好。第二个，大部分用湿法隔离，正面PSG的去除，还有背面抛光都是一次

线，从而提升发电量。这种电池的生产采用的是p型硅片、标准的设备和生产流程。据bSolar称，这款新的电池安装在标准应用中每kWp的发电量高10-30%，安装在垂直应用中则高50%。该公司表示，这相当于标准