p型硅片

版型长宽分别为2136996mm，功率448瓦，对应组件效率21.06%，是本次效率纪录的创造者。此外还有三块72版型的组件，长宽分别为1978996，功率介于411~411.6之间，对应组件效率介于
方形单晶硅片，产地成都。下面这张图是其效率为22%的电池盒的铭牌介绍其基本信息： 由于拼片技术使用了7BB的网版图形，采购这批电池片之初通威方面说：全部档位都要全部买走。所以我也就此得到了本批

单晶硅片的快速应用有目共睹，在此推动下，光伏行业正在经历飞速技术变革。在硅片技术转型期，出现了向包括p型和n型单晶硅片在内的大尺寸硅片的转变，而人们对此则不甚了解。 多年来，PV Tech一直

转换效率使得其占比持续快速提升。 从单瓦成本来看，单晶性价比快速追赶，但仍略低于多晶。根据最新调研数据进行，普通P型单晶硅片单瓦成本降至0.9元-1元区间，直追多晶单瓦成本，但与多晶仍然相差不到
，但是普通P型单晶电池较P型多晶电池的转换效率始终多1.2-1.4个百分点。近年来随着PERC等高效技术的应用，单晶产品则有更高的转换效率。 3.3现阶段单晶性价比增强，下游普及度提升 技术更迭带来

，对于p型电池，前表面为磷掺杂的n+发射极结构，经过丝网印刷、烧结之后金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为800~1000 fA/cm2;对于n型电池，前表面具有相同方阻的p+发射极经过

具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件(60片型)输出功率达275W以上，金善明表示。相比常规多晶组件，基于TS+黑硅片制备的60片组件，其组件功率提高5W以上

哈梅林太阳能研究所(ISFH)和汉诺威莱布尼茨大学在一块经过特殊处理的叉指p型单晶硅片背面使用了多晶硅脱氧多晶硅氧化物触点工艺，实验室电池转换效率达到26.1%，创下记录。 ISFH主任Rolf
极上使用钝化电子选择n +型多晶硅氧化(POLO)触点，在正接触极上使用孔选择P+型POLO触点。 POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素，背部叉指模式使用了这种触点，能够最大限度地减少

26.1%效率的电池采用了FZ法的p型单晶硅片，电池面积4cm2，开路电压726.6mV，短路电流密度42.6 mA/cm2，填充因子84.3%。 ISFH的Rolf Brendel教授表示，我们的

不低于19%和21%。 此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示，P型单晶及多晶电池技术持续改进，常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%，采用钝化发射极背面接触技术(PERC
，PERC与黑硅技术在单晶和多晶上将得到普遍采用。 黑硅技术助力多晶电池提效降本 对于多晶电池而言，黑硅技术并非是一项新技术。该技术主要是源于2017年金刚线切多晶硅片的普及从而得到推广。 金刚线

采用p 型多晶硅片(156 mm156 mm)，彩色多晶硅太阳电池样品的制备流程如图1 所示。所有样品经多晶硅太阳电池生产的常规工艺进行制绒、扩散、刻蚀后，用板式PECVD 调节一次性镀膜工艺，在

颗粒，电子复合更频繁。故多晶电池效率低于单晶电池。) N型：元素周期表里位于第四族的硅被参杂了第五族的磷，多了可以自由移动的电子，呈负极性。 P型：元素周期表里位于第四族的硅被参杂了第三族的硼，少了