n型单晶硅
过程中发现除了以上三种漏电原因外，还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。 1刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电 扩散工艺中在硅片的上表面和周边都扩散上了N型结，如果不去除周边的N型结会导致
项目对于高效产品的需求更为迫切。目前多晶电池最高转换效率达到18%，已接近19%的理论值，而目前主流P型单晶电池转换效率为19%-19.5%，距离22%的理论转换效率还有较大提升空间，主流N型单晶电池的
，增长缓慢。 而P型单晶目前转换效率在19.5%-20.5%，1年内将突破21.5%，N型单晶转换效率在22%-25%，N型理论上甚至可以达到30%的高效率。目前P型单晶在性价比方面已经超越多晶，可以预见不远的将来随着成本迫近甚至达到持平，多晶有望大面积被单晶取代.
差距正在快速缩小，而单晶转换效率优势则不断扩大，多晶在达到18-19%的转换效率后边际效应开始显现，增长缓慢。 而P型单晶目前转换效率在19.5%-20.5%，1年内将突破21.5%，N型单晶
电池实现产业化，热发电效率达到20%左右。亚化咨询认为，随着晶体硅太阳电池制造技术的不断更新进步，尤其是近年来PERC电池和N型电池等高效电池的兴起，实现十三五规划对效率的要求将不成问题，但这也对
，国产化率并不高，但国产正银企业正大量涌现，未来市场格局或将改变。
意见稿还提出了十三五期间太阳能发电效率指标：单晶硅电池的产业化转换效率达到23%以上，多晶硅电池转换效率达到20%以上，新型薄膜太阳能
下游工序，与多晶硅环节不同，该环节为资本密集型，技术含量不高，产品工艺与投入设备相关，可分为单晶硅片和多晶硅片。
1.2.1、产业现状
我国是硅片制造大国，2014年产量达37.4GW，近88亿片
标准电池结构中更高的效率水平受限于少数载流子的复合，PERC电池最大化跨越了P-N结的电势梯度，这使得电子更稳定的流动，减少了复合，因此能够得到更高的效率水平。
截止2014年2季度，P型单模块PERC
多晶硅生产成本1.2、硅片硅片为多晶硅的下游工序，与多晶硅环节不同，该环节为资本密集型，技术含量不高，产品工艺与投入设备相关，可分为单晶硅片和多晶硅片。1.2.1、产业现状我国是硅片制造大国，2014
i-n型a-Si：H膜（膜厚5～10nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的光伏电池。其优势为：（1）低温工艺。所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对
，因此毋庸置疑在未来的5年内，多晶硅片还将继续占据主流，但是N型单晶硅片从目前来看确实是一个发展方向。二、直接硅片技术或将敲响多晶、单晶、薄膜的丧钟10多年前在美国晶体生长会议上，清华大学张辉（代表硅管
有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。
与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术
/千瓦时。
展望2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265-270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺
技术、MWT技术、黑硅技术等已在使用或着手研发，部分企业生产的N型电池转换效率已达到22.9%，处于全球先进水平。主流组件产品功率达到255-260W，同比提高近6%。 图表11.2008-2014年
已低于70kwh/kg。我国产业化生产的高效多晶硅电池平均转换效率达到17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于领先水平。在高效电池研发与生产上，多次印刷、PERC技术、HIT技术、IBC
