n型半导体

IBC太阳电池。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到25.2%。资料显示，SunPower量产效率达25%，LG量产效率达24.5%。 国内天合光能一直致力于
IBC单晶硅电池的研发，2017年5月自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)N型单晶硅IBC电池效率达到24.13%;2018年2月，该电池的效率进一步提高到25.04%，开路电压达到715.6mV

光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池。其中光伏薄膜电池用靶材主要为方形板状，纯度要求一般在 99.99%(4N)以上，仅次于半导体用靶材。目前制备薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶
、铜靶、钼靶、铬靶以及 ITO 靶、AZO 靶(氧化铝锌)等，HIT电池主要使用ITO靶材作为其透明导电薄膜。 目前国内光伏电池主要以硅片涂覆型太阳能电池为主，薄膜电池以及HIT占比较低，但是从目前

、防盐雾风电机组技术攻关，加强风机主轴承国产化研发，提升风机叶型工艺设计、碳纤维材料制造能力，推进风电机组一体化集成设计、深远海远距离输电技术、漂浮式等新型风机基础等领域研发和示范。 3.光伏。加强
单晶电池PERC技术、CdTe等化合物半导体薄膜电池技术、薄膜电池集成应用技术(BIPV)以及逆变器、智能组件等关键技术的创新，加强核心工艺设备的自主研制和生产。探索等离激元效应对光能新利用的技术

进入应用的第一代太阳能电池技术，按照材料的形态可分为单晶硅电池和多晶硅电池，其中单晶硅电池根据基体硅片掺杂不同又分为P型电池和N型电池。 《每日财报》注意到，2008 年前后由于晶硅电池上游多晶硅料

摩尔定律飞速如半导体行业，台积电依然立于不败之地。 1.跳跃间断点初探 1.1.技术颠覆 技术颠覆是形成跳跃间断点的原因之一，完全不同的新技术替代难以升级的老技术形成转换效率的跳跃，同时关闭现存者的
直拉单晶和金刚线工艺。一体化是必然的，因为硅料和硅片的空间都有限，无论是厂商还是资本市场都需要打破边界增长业绩。有趣的是中环股份走上了不同于隆基股份的横向专业化路线，横跨光伏和半导体两个领域，这也

摩尔定律飞速如半导体行业，台积电依然立于不败之地。 1.跳跃间断点初探 1.1.技术颠覆 技术颠覆是形成跳跃间断点的原因之一，完全不同的新技术替代难以升级的老技术形成转换效率的跳跃，同时关闭现存者的
直拉单晶和金刚线工艺。一体化是必然的，因为硅料和硅片的空间都有限，无论是厂商还是资本市场都需要打破边界增长业绩。有趣的是中环股份走上了不同于隆基股份的横向专业化路线，横跨光伏和半导体两个领域，这也

本越来越高，因而硅片尺寸扩大、单片芯片数量增加是降低成本的必由之路。而光伏硅片尺寸增大是由于硅片价格的大幅下跌、平价上网压力、其它降本技术乏力所共同推动的。另一方面，半导体硅片需切割成n个芯片、单独封装使用
，而光伏领域则是将n个硅片串联后封装使用。 模仿借鉴是实现创新的前提准备、量变的积累和质变的必然。早期光伏处于起步阶段，需参考借鉴半导体行业经验，但随着光伏领域多年高速成长、经验积累、科技创新

主流光伏技术。因此，项目以超高效率异质结(HJT)电池为核心，使用 N 型硅片正反两面纳米级非晶硅镀膜及纳米级透明导电膜形成对称结构的双面电池，双面都可以吸光发电，技术门坎高，属于半导体等级的工艺

太阳能电池是重要的研究方向。 锡基钙钛矿具有和铅钙钛矿相似的电子结构和相媲美的半导体性质，包括高吸光系数、高载流子迁移率和理想的带隙，是环境友好型钙钛矿太阳能电池的理想材料。但是相比于铅钙钛矿
PCBM做为电子传输层材料(图1a)，提高了光照条件下的准费米能级位置。ICBA还抑制了碘离子迁移带来的n型掺杂，降低了传输层和锡钙钛矿界面的载流子复合。以ICBA为电子传输层的锡基钙钛矿太阳能电池实现

衰减上都优于 P 型电池组件。 以 N 型硅片为基础，有望演化出多条 N 型电池发展方向，光伏电池片制备工艺向半导体升级。从技术路线发展来看，由于 P 型电池片的转换效率提升存在