n型半导体

的电池组件商也在积极开发高效光伏产品。全球P型、N型单晶电池效率已分别达到18.5%20%和21%-24%，多晶电池效率达到17%-17.5%。随着高效单晶、多晶技术的不断探索与应用，其成本不断下降

索比光伏网讯:中国科学院半导体研究所韩培德研究员领导的光伏能源组日前宣布，该团队瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，在国产直拉N型单晶硅(Cz)衬底上采用离子注入等技术，研发出了效率达到20%的
重要的战略意义。据了解，韩培德研究员的光伏能源组隶属于中国科学院半导体研究所、集成光电子学国家重点实验室，该研究组以晶体硅太阳电池的研究为基础，以缩短产线电池与实验室电池差距为目标，同时开展高倍聚光晶体硅

扩散的方式来掺杂 ，以获得可控几何形状和浓度的p型和n型区域（半导体扩散的研究注定成为其自身的一个主要内容）。在二十世纪40和50年代，锗和硅不能够从矿石中直接萃取或精炼到所需要的纯度。解决的方案是

实验，开始接受半导体中表面态的观点（这是一个显著的理论突破），从N型到P型的转变与强外场所导致的半导体表面紧密相关，这个观点与P-N结的知识一起，经过了系统的研究后，直接导致了1947年的晶体管的发明。(未完待续)

开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2、以无机盐如砷化镓III-V
化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池；3、功能高分子材料制备的大阳能电池；4、纳米晶太阳能电池等。不论以何种材料来制作电池，对太阳能电池材料一般的要求有：1、半导体材料的禁带不能太宽；②要有

。 　　优点是可制造长度在10m以上 　　PSU化学教授John Badding等的研究小组采用以同心圆状制备p+型、i型及n+型硅半导体的技术，在光纤的核心部分制备了pin结(图1)。具体做法是

响应的光检测器(PD：photodetector)。 优点是可制造长度在10m以上PSU化学教授JohnBadding等的研究小组采用以同心圆状制备p+型、i型及n+型硅半导体的技术，在光纤的核心

立大学Badding实验室） 优点是可制造长度在10m以上 PSU化学教授John Badding等的研究小组采用以同心圆状制备p+型、i型及n+型硅半导体的技术，在光纤的核心部分制备了

聚焦光伏材料（例如：n型硅、p型硅、类单晶硅和高效多晶硅）和类似双玻组件和双面发电组件的新产品技术。在SEMI的国际光伏技术路线图项目委员会中，中国有两名联合主席加入，分别是来自晶澳太阳能的首席技术官