n型半导体

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MIT石墨烯太阳能电池效率4.2%,或可替代ITO材料来源:PV-Tech每日光伏新闻 发布时间:2013-01-20 23:59:59

材料自身结构稳定,在不破坏其电气特性和结构的前提下直接在原始石墨烯表面生长半导体材料十分困难。因此,研究人员首先在石墨烯表面测试了一系列高分子薄层,作为石墨烯与氧化锌纳米线(n)的连接层。在其之上再

光伏技术发展战略目标和技术路线图来源: 发布时间:2013-01-16 11:08:08

伏特作为电压的单位使用。光生伏特效应就是光电效应,是德国物理学家赫兹于1887年发现的。光电效应就是太阳能电池工作的基本机理:太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下

中环股份逆势扩张背水一战 主打技术牌应对行业重组来源:证券日报 发布时间:2013-01-03 11:53:30

SunPower菲律宾签订了合作备忘录。后者拟采购环欧国际用钻石线切割工艺生产的单晶硅片,产品就包括直拉N单晶硅片、直拉区熔单晶硅片等。 只是,国内众多光伏企业似乎并没有把技术摆在
行业寒冬里,有坐等暖季出现者,也有逆势扩张者,中环股份属于后者,在2012年国内光伏业哀鸿遍野之时,这家被列为中国十强最具成长性半导体企业之一的光伏类企业却高调推出其投资项目

光伏行业重组 中环股份主打技术牌应对来源: 发布时间:2013-01-02 04:17:59

SunPower菲律宾签订了合作备忘录。后者拟采购环欧国际用钻石线切割工艺生产的单晶硅片,产品就包括直拉N单晶硅片、直拉区熔单晶硅片等。只是,国内众多光伏企业似乎并没有把技术摆在一个至关重要的位置上。企业还是
行业寒冬里,有坐等暖季出现者,也有逆势扩张者,中环股份属于后者,在2012年国内光伏业哀鸿遍野之时,这家被列为中国十强最具成长性半导体企业之一的光伏类企业却高调推出其投资项目。公司将作为第一大

中环股份逆势扩张 背水一战主打技术牌来源: 发布时间:2012-12-31 10:02:59

,产品就包括直拉N单晶硅片、直拉区熔单晶硅片等。只是,国内众多光伏企业似乎并没有把技术摆在一个至关重要的位置上。企业还是比较注重规模化、数量化发展,盲目扩张、过度上马光伏项目的现象屡见不鲜,致使企业在
行业寒冬里,有坐等暖季出现者,也有逆势扩张者,中环股份属于后者,在2012年国内光伏业哀鸿遍野之时,这家被列为中国十强最具成长性半导体企业之一的光伏类企业却高调推出其投资项目。公司将作为第一大

中国光伏业的勃兴与困境:离不开的一个人和企业!来源: 发布时间:2012-12-25 08:51:46

靠价格战。短短几年,中国光伏产业规模做到世界第一,并不掌控核心原材料生产技术,95%以上的产品靠海外市场消化,高科技产业做成了血汗工厂。光伏电池利用的是半导体材料构成的P-N结对光照的敏感性和P-N结

中国光伏业勃兴与困境:离不开的一个人和企业来源: 发布时间:2012-12-25 08:48:59

工厂。光伏电池利用的是半导体材料构成的P-N结对光照的敏感性和P-N结的光电转换性,是半导体材料从弱电应用向强电应用的跨越性发展。简而言之,半导体P-N结在受到光照时电子会从结的一边单向地跑到另一边

用超声喷雾热解淀积系统合成CdTe薄膜及特性分析来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

上使CdTe是薄膜太阳能电池应用的最好材料。根据CdTe的物理、化学、光学及电子学性质,它被认为是优良的光吸收半导体材料。它常常是把硫化镉夹在中间形成太阳能电池的p-n结。即使效率较低(16.5%),但
、闭空间蒸汽输运、丝网印刷、MOCVD和射频溅射,这种具有nCdS窗口层的 p-CdTe薄膜已做出转换效率达16%的太阳能电池。薄膜太阳能电池制造中的一个关键步骤是淀积有可控成分和化学配比的CdTe层

晶硅太阳能电池与微电子之间的技术交流来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

中存在的高负电荷对尺寸缩小的晶体管来说是一个问题。可是,在光伏器件中使用却非常有意思,此时,负电荷在p-型衬底中引起了高积累表面,或在n-型衬底中引起了高反转面。结果,在n-型及p型衬底上测出的表面复合

光伏并网发电普识大汇总来源: 发布时间:2012-12-11 12:17:50

太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体PN结上,由于P-N结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴,在内