c-Si技术
光伏组件回收正越来越被重视，将报废组件中的硅材料重新加工和提纯，再次用于光伏产业链以制造新电池的技术已被证明是一项重大挑战。最近，中科院大学许新海、汪印、赖登国等人发明了一种废晶硅光伏组件回收升级
技术，成功地获得了具有完整结构、最小化厚度和优异光捕获能力的理想且高纯度的硅片。
该成果已发表于《Resources, Conservation & Recycling》，并被收录于
。
Ponsekar详细介绍了Hyper-ion伏曦、TITAN泰坦等高效产品的优势特性。伏曦系列基于210+N型异质结技术，凭借G12 120m四角倒角、c-Si掺杂层和低Ag含量浆料等行业领先
6月14日-15日，高功率组件技术代表企业东方日升受邀出席某行业线下会议，印度公司总经理Ponsekar Periyanadar发表了主题为《Ultra Low Carbon Foot Print
了一系列文章。本文跟进了这些文章引入的关键主题，探讨了这一行业目前处于产能主导模式，全球组件供应如何集中在约50家重要的组件供应商，n型技术的应用如何在未来几年在行业内推进，以及组件价格预计会在未来
，仅仅做一个分销商是更安全的选择
组件供应商、组件生产商和光伏制造商：区别何在?
让我们从目前全球约100家光伏组件供应商开始，为什么它们中的大多数对其上游供应链、技术路线图和物料清单几乎没有控制
主要原因：
(1)高Voc。HBC电池采用氢化非晶硅(a-Si:H)作为双面钝化层,在背面形成局部a-Si/c-Si异质结结构，基于高质量的非晶硅钝化，获得高Voc。充分吸收了HJT电池非晶硅钝化技术
薄建设光伏电站的非组件成本，及提升单位面积发电量，进而降低光伏度电成本。
业界异常关注PERC电池之后的下一代晶硅电池主流技术，到底TOPCon、HJT和IBC等哪一种技术路线会胜出。按照晶硅电池
1. TOPCon技术介绍
隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell,TOPcon)是2013年在第28届欧洲
电极接触区的复合损失;
电子和空穴在衬底内/界面处复合损失;
4. 界面钝化目的4.1 制约传统晶体硅(c-Si)太阳能电池效率进一步提高的关键因素是在金属电极和硅之间的界面处
年作为技术规范发布。根据标准，全球大部分地区的屋顶电站在采用如下图中安装方式时，T98温度会超过70度，IEC 61215/730里的测试需要加严条件参考IEC TS 63126的说明重新评估
temperature induced degradation (LETID) test for c-Si Photovoltaic (PV) modules:Detection
目前是CD阶段，还在整理
光伏电池环节两头挤压尴尬局面，待新技术破局。
国内PERC产能快速扩张，2021年看结构性机会。
2020年中国产能约185.7GW，同增22.8%，产量约134.8GW，同增22.2%，全球占
比82.5%。
PERC电池扩产有两个时间节点：1）PERC路线明确后，2019年单季度高盈利引发了一轮扩产大潮。2）2020年初大尺寸平台技术确立，PERC大尺寸迅速扩张；
展望
一、技术迭代推动降本增效，N型电池发展提速 晶硅电池技术是以硅片为衬底，根据硅片的差异区分为P型电池和N型电池。其中P型电池主要是BSF电池和PERC电池，N型电池目前投入比较多的主流技术为HJT
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
MeyerBurger ,其于2013年向市场发布 SMWT ( SmartWire 缩写)技术。MeyerBurger 号称与传统5主棚技术相比,由于铜线的截面为圆形,制成组件后可以将有效遮光
。据称，在最初的五年里，它能够在比传统C-Si电池更低的温度下运行。
当被问及拟议技术成本时，Ekins-Daukes说有机会建立基于单一分子层的设备，这些分子层小心翼翼地沉积在硅光伏电池上，类似于
导读：澳大利亚的新研究表明，单线态裂变太阳能电池不仅有可能将光伏技术的理论效率提高到意想不到的水平，而且与传统的光伏设备相比，其温度性能更好，持续时间更长。科学家们认为，这种技术可能有助于传统的
