TMA
High-K等产品。目前主流PERC和TOPCon电池未来三年内仍然是最具性价比的光伏电池技术路线且占据主导地位，而PERC及TOPCon电池的薄膜沉积中主要用到的背铝钝化材料是TMA。威顿晶磷生产的P型和N型掺杂剂和TMA产品已稳定供应国内主流光伏电池厂商。
。超大产能是松煜ALD的强势优势，单面镀(对应116片花篮)产能可达22000pcs/H以上;此外松煜ALD特有的携源方式(TMA饱和蒸气压)，避免了TMA的二次污染，保证进入反应腔室内TMA高纯(不含
%。
(2)ALD技术引用，进一步降低非硅成本
钝化技术中，ALD技术性价比更高：背钝化材料中，氧化铝是目前市场首选。而影响背面钝化成本的两个核心因素是氧化铝膜厚度和TMA使用量。而相比于
传统PECVD钝化技术，ALD技术使钝化膜更薄，并且大大降低TMA使用量，从而使成本降低。
ALD技术带来4.72%的成本下降空间：经测算，当加工成本自1.97元/片降低至1.72元/片时，非硅成本从
沉积(ALD)法，PECVD法与沉积SiNx薄膜的原理一致，主要反应气体为三甲基铝(TMA)。原子层沉积(ALD)方法是将不同气相前驱反应物交替地通入反应腔体，在沉积基底上化学吸附并反应形成薄膜的过程
，以自限制表面反应物的方式，将沉积过程控制在原子水平。ALD法沉积Al2O3的过程中，第一种前驱气体三甲基铝
(TMA)首先与硅片表面OH基团吸附并反应直至饱和，生成新的表面功能团，抽取剩余的TMA后
，实现极高的双面因子、较高的电池电压以及出众的温度系数。 与目前市场上的产品相比，新技术面临的挑战之一在于其竞争优势。例如，只有当价值链(生产设备以及三甲基铝(TMA)等耗材)成形且生产可靠性得到客户
台设备中可以同时完成氧化铝和氮化硅双层膜的沉积，ALD的优势是TMA耗量少、钝化质量高，缺点是必须搭配PECVD设备同时使用，氧化铝和氮化硅需要分别沉积。 激光开槽设备方面，基本上是武汉帝尔激光
Al2O3厚度对电池特性的影响 采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气
、较高的电池电压以及出众的温度系数。 与目前市场上的产品相比，新技术面临的挑战之一在于其竞争优势。例如，只有当价值链(生产设备以及三甲基铝(TMA)等耗材)成形且生产可靠性得到客户认可时，现有
玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应
为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所
