TCO导电
%，到2030年有望超过75%。更高效率与更低成本是行业押宝异质结的关键，更短工艺流程则为后期降本工作与开发更具低碳价值的产品预留更大空间。异质结因自身具备透明导电层(TCO)， 可与钙钛矿叠层完美
-ETL-电极)为例： 透明导电氧化物(TCO)层：TCO 导电玻璃包括 ITO、FTO、AZO 镀膜玻璃，分别使用锡掺杂氧化铟(In2O3)、氟掺杂氧化锡(SnO2)和铝掺杂氧化锌(ZnO)作为
在硅片端结合吸杂技术，减少金属杂质带来的缺陷;CVD工序采用微晶工艺结合绒面织构化界面优化技术;TCO工序通过在透明导电薄膜生产过程中的水汽控制、工艺参数优化、高迁移率靶材的使用，增加透光性、降低接触
上采用非晶硅沉积的方式形成异质结并作为钝化层。这种结构的电池具有较高的开路电压和效率，同时最外一层有TCO透明导电层。异质结电池的工艺采用低温工艺，便于采用更薄的N型硅片，使未来有比较大的硅片成本下降
、PVD镀膜、丝网印刷、测试分选和包装入库等步骤。其中，PEVCD镀膜和PVD镀膜是关键步骤，分别用于沉积本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，以及沉积TCO透明导电氧化薄膜。由于TOPCon电池的生产流程相对
、光学镀膜等产品的生产。此外，它也被应用在异质结电池制程的第三个环节，即通过PVD设备，利用磁控溅射原理，将靶材(ITO)沉积到硅片表面，制备双面一致的透明导电膜(TCO)。然而，作为一种稀有金属，铟的
在自然界中，有一种银白略带淡蓝色的金属“铟”，它质地软、可延展、电阻低、抗腐蚀，具有较好的光渗透性和较强的导电性等优点。以铟制成的ITO(氧化铟锡)作为靶材，广泛用于液晶显示器、平板屏幕、触摸屏
SE技术，可改善横向传导电阻，缩小光斑提升电性能，还能改善光斑匀化效果，降低激光损伤，优化光学设计，提升产能，通过无损消融结合电镀铜替代传统丝网印刷，大幅度降低银浆耗量，降低生产成本。HJT电池应用
;三是靶材成本效果未达到预期。HJT本身有TCO材料,与钙钛矿适配，可相容晶硅组件技术，且成本比HJT更低，但目前HJT绒面与钙钛矿涂层的磨合还不够完善。东方日升推出的伏曦异质结组件采用0主栅电池+24
工艺设备研制并形成量产能力，相关设 备是 HJT 电池片生产线的核心工艺设备之一，主要通过磁控溅射技术在非晶硅 钝化异质结电池正背面沉积 TCO 透明金属氧化物导电膜。据了解，金辰股份主要
电池中非常精细的有机层组成的结构，而使用干燥溅射法的传统技术在沉积时会损坏透明导电氧化物(TCO)薄膜，导致有机层降解，从而无法实现所需的设备性能。对于透明导电氧化物来说，很难利用溅射沉积法。近日
。KEIHIN RAMTECH表示，RAM
FORCE结构独特，通过四面对向靶材和磁场布置实现了低损伤沉积，在PSC上进行TCO沉积，与平面溅射设备相比，作为损伤指标的载体寿命提高了约30%。因此利用其
带来TCO导电玻璃、透明背电极增量需求。晶硅电池使用双面导电银浆来实现金属化制程，但由于银会跟钙钛矿材料中的卤化离子反应氧化发黑，所以钙钛矿导电电极材料不再使用晶硅电池中常用的银浆，而是用正面TCO导电
