TCO导电

的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下： 01、制绒清洗机 ： 电池
非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面金属电极制备 退火 测试和分档

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面

和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄 膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面
等离子体能量分布相对集中且离化率更高，高能离子较少，表现出低离子损伤的优良特性。同等条件下，RPD 技术制备的 TCO 薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导电性更高、光学透过率更好1。此外

沉积(N 型)以形成发射极和背表面场、TCO 沉积以提供高导电率的电荷输运通道。异质结整个生产工艺主要为制绒、非晶硅薄膜沉积、丝网印刷、分选四个步骤。 3、降本空间大 使用
技术路线并进。TCO 沉积在异质结电池沉积工艺的后半部分，通过沉积 TCO 膜作为减反层和横向输运载流子至电极的导电层。一般 TCO 沉积在 PVD 设备中通过溅射的方式完成。捷佳伟创和 Archers

HIT电池制造工序中所用到的设备，通过该设备沉积金属氧化物导电层TCO，这也是HIT电池在制作电极前的最后一步。 但PVD设备，并不是HIT最大难题。2020年1月，招商证券研报认为，TCO沉积这项

。需要从非晶硅界面钝化、TCO 光吸收损失、金属化电阻损耗三方面进行努力，对应的工艺流程为 CVD、PVD、丝印三个步骤。这个三大难点克服，不仅仅是工艺的问题，还涉及到设备和材料的配套和改进
，这种透光导电膜设备设计独特，相对传统的 PVD 设备具有表面损伤少、 载子迁移速度高等技术优势，对于 HJT(异质结)电池转换效率的提升具有较 大的贡献。RPD设备应用广泛，除应用于 HJT

光伏电池的发电结构，由于非晶硅薄膜横向导电性不好，如果直接在非晶硅薄膜上印刷电极，会有部分电流无法收集，所以还需要在非晶硅薄膜两侧沉积一层金属氧化物导电层，英文缩写是TCO，说的简单点就是一层透光性很好的

a-Si:H薄膜和P型掺杂a-Si:H薄膜以形成p-n异质结，在硅片背面依次沉积厚度为5-10nm的本征a-Si:H薄膜和N型掺杂a-Si:H薄膜形成背表面场，在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电
氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷或电镀技术在电池两侧的顶层形成金属集电极，其结构具有对称性。 HJT电池转换效率已在晶硅光伏电池中位居前列：HJT电池量产之后，日本Sanyo/松下仍在持续研究

，并在电池顶部设计透明导电的TCO薄膜：(1)非晶硅层可有效降低表面悬挂键的密度，从而达到良好的界面钝化作用;(2)TCO薄膜可以实现导电、减少反射、同时保护非晶硅薄膜等重要作用。HJT电池具有开路

工艺开发的低温银浆，其要求是： ①电极成型温度低于200℃ ②电极体电阻率低于10-5cm ③该电极无需与硅形成欧姆接触，但与TCO导电层的接触需足够低 ④可以经受电池串焊时200-350℃的
高效晶硅电池基本持平，主要技术难点是低温银浆的导电性能较低，且浆料产品占电池制造的非硅产品部分超过50%。因此，HJT银浆的突破对电池的产业化至关重要。因HJT银浆的高导电性、高焊接拉力、快速印刷等