PVD

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涉及微电子聚合物、电子化学品等先进材料；PVD靶材和线圈、贵金属热电偶等金属材料以及低粒子放射、电镀阳极、先进散热材料等用于后端封装的热管理和电子互连产品。 更多信息，请联系霍尼韦尔电子材料或

Endura Ventura PVD系统能将高深宽比的硅通孔（TSV）结构用于铜互连技术，并使成本降低多达50％ 业界首款用于量产的PVD钛阻挡层解决方案，显著提升TSV可靠性 2014
年5月28日，加利福尼亚州圣克拉拉全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司今天宣布推出Endura Ventura PVD 系统。该系统沿袭了应用材料公司在业

　Endura Ventura PVD系统能将高深宽比的硅通孔（TSV）结构用于铜互连技术，并使成本降低多达50％ 　　业界首款用于量产的PVD钛阻挡层解决方案，显著提升TSV可靠性
　　2014年5月28日，加利福尼亚州圣克拉拉全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司今天宣布推出Endura Ventura PVD 系统。该系统沿袭了

沉积一层平整的薄钴衬垫膜，相对于典型的铜互连工艺，钴的应用可为有限的互连区域填充铜提供更大的空间。这一步骤通过在同一平台，超高真空下整合预清洗（Pre-clean）/ 阻挡层（, PVD

成功开发出有选择性的5次物理气相沉积（PVD）涂层技术，应用于聚合物吸附体，利用光谱测量方法优化聚合物吸附体的涂层设计。创新型的物理气相沉积涂层技术具有较高的耐热变温度和高热传导率的特点；三是85％的

a-C:H碳膜线性离子束技术和双弯曲磁过滤阴极电弧ta-C碳膜技术（授权专利：200920120060.1、201010135514.x ）。进一步采用复合PVD技术，调控薄膜组分和含量，发展了多种具有低

，半个世纪以来，根据国家对微电子发展的需要，该所从三束（离子束、电子束、分子束）为主的电子束曝光机、分子束外延设备、离子束注入机等半导体微细加工设备的研发，逐渐发展为以半导体PVD、CVD、注入

年，半个世纪以来，根据国家对微电子发展的需要，该所从三束（离子束、电子束、分子束）为主的电子束曝光机、分子束外延设备、离子束注入机等半导体微细加工设备的研发，逐渐发展为以半导体PVD、CVD、注入