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金石能源“HBC太阳电池核心工艺研发”入选福建省级科技项目来源:金石能源 发布时间:2022-07-30 11:41:13

PVD等核心设备自主知识产权,依托异质结整线装备技术,推出的“低银耗技术”、“异质结HBC技术”、“双面微晶化PECVD设备”等技术和产品均具有技术前沿性和创新性,赢得了市场和客户的高度认可,异质结

晟成光伏TOPCon电池镀膜设备研发项目获批省级专项资金1000万来源:苏州晟成光伏 发布时间:2022-07-26 10:48:31

近期,2022年度江苏省工业和信息产业转型升级专项资金(第三批)拟安排项目公布,晟成光伏“基于PECVD&PVD技术的高效节能TOPCon电池镀膜设备的研发”项目成功入选关键核心技术(装备)攻关
基础高级化、产业链现代化水平。晟成光伏高效节能TOPCon电池镀膜设备,基于智能制造设计理念,采用具有自主知识产权的硅片清洗技术、PECVD&PVD结合的新型工艺路线及动态镀膜技术,实现TOPCon

宋登元:光伏技术终将百花齐放 但现阶段TOPCon占优来源:每日经济新闻 发布时间:2022-07-12 16:47:05

工序的设备均不能和PERC共用,比如制绒清洗、PECVD、PVD等均是要新投入。而TOPCon和PERC可以共用绝大部分工序的设备,只要PERC车间有预留空间,就可以直接升级为TOPCon,且单GW

4.2亿元!迈为股份为什么这么强来源:全民光伏、湖北长江商报 发布时间:2022-07-08 16:38:03

电池片主流路线。在这样的背景下,迈为股份积极布局了HJT高效太阳能电池整线设备,自主研制了HJT太阳能电池PECVD真空镀膜设备、HJT太阳能电池PVD真空镀膜设备等。去年更是创下了HJT转换效率

喜讯!金石能源入选福建省科技小巨人企业名单来源:金石能源 发布时间:2022-07-04 10:15:06

开发能力三位一体的核心竞争力,拥有PECVD和PVD等核心设备自主知识产权,依托异质结整线装备技术,推出的“低银耗技术”、“二代异质结HBC技术”、“双面微晶化PECVD设备”等技术和产品均具有技术

湖南:十四五新增光伏装机9.09GW 风电5.31GW来源:湖南发改委 发布时间:2022-07-03 15:56:16

制造产能超过1GW,CVD、PVD及扩散氧化类设备具备较高的自主研发能力,产品达到行业一流水平;储能电池产业链初步形成,先进储能材料产业全国领先,正极材料产能领跑全国,隔膜、电解液产能规模位居全国前三
。装备技术方面,打造了以长株潭地区为中心的先进新能源装备及产品开发和验证平台;低风速风机、智能风机、超大产能异质结专用PVD设备、1500V/2.5MW光伏发电逆变升压一体机、叶片及线路融冰等先进产品和

晟成光伏首台TOPCon技术二合一镀膜设备成功交付来源:苏州晟成光伏 发布时间:2022-06-23 08:39:50

TOPCon光伏电池背钝化镀膜设备的优缺点进行深入分析,晟成光伏决定采用PECVD镀膜与低损伤PVD镀膜相结合的技术方式来制备TOPCon电池的背面隧穿二氧化硅膜层和掺杂非晶(碳化)硅膜层。该技术方式可以有效
。 晟成光伏TOPCon技术二合一镀膜设备,其低损伤PVD镀膜结构设计可以有效提高膜层的钝化品质,碳化硅膜层的加入可以减少长波段光的吸收损失以及提高TOPCon电池的电流密度。同时,晟成光伏

三足鼎立!TOPcon、P-IBC、HJT 谁更胜一筹?来源:未来文库 发布时间:2022-06-16 08:31:07

需要使用不同的镀膜方法进行制备。主要方法可分为 物理气相沉积 PVD、化学气相沉积 CVD、原子层沉积 ALD。在光伏行业中应用 较多的包括 PECVD, ALD, LPCVD, PVD 等技术
用于 TOPcon 和 P-IBC 技术。PVD(物理气象沉积):在真空条件下,采用大电流的电弧放电技术,利用气体 放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被 蒸发物质及其反应

一道新能宋登元:n型TOPCon电池技术大规模量产时机已成熟来源:摩尔光伏 发布时间:2022-05-27 10:57:33

多晶硅膜结合传统的磷扩散工艺;LPCVD制备多晶硅膜结合离子注入磷工艺;PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺;PVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺,其中LPCVD技术工艺成熟且已实现量产,并且设备国产化
,也是唯一大规模商业化的技术。PECVD、PEALD、PVD也是目前研究的重点方向,且取得进展。绕镀问题解决,TOPCon电池降本超乎预期。据业内人士介绍, TOPCon电池材料匹配性好,原材料和关键

TOPCon、HJT等电池技术不断从实验室“走向”产业链来源:网易 发布时间:2022-05-19 16:53:04

;PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺;PVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺其中 LPCVD 技术工艺成熟且已实现量产,并且设备国产化完善,但绕镀、成膜速度慢等仍为目前工艺主要问题。 LPCVD