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双面发电组件或入选“超级领跑者”计划:这项技术先进在哪里?来源:鉴衡 发布时间:2017-01-09 23:59:59

出介绍说明:优势明显,实现技术领跑目前市场上大部分的晶体硅太阳能电池是由硼掺杂P硅制成,然而P硅太阳电池在光照下会出现大的功率初始衰减。N型产品的技术是由磷掺杂N型硅材料,其光致衰减可忽略。此外N型硅

光伏前沿技术(超级领跑者)之双面发电组件来源:索比光伏网 发布时间:2017-01-09 17:00:11

,实现技术领跑 目前市场上大部分的晶体硅太阳能电池是由硼掺杂P硅制成,然而P硅太阳电池在光照下会出现大的功率初始衰减。N型产品的技术是由磷掺杂N型硅材料,其光致衰减可忽略。此外N型硅对某些金属

国际首个行业认证为何颁给国产双面电池来源:科技日报 发布时间:2017-01-09 15:18:55

产品认证证书。阴影中的背面也能发电,将是未来光伏行业的新潮流。 据了解,N型电池指使用N型硅片制作的太阳能电池。不同于P掺杂的硼,N型电池的硅片中掺杂的是磷。两种不同的掺杂使得半导体的多数载流子的

协鑫集成越南布局PERC电池基地:成本、海外将成未来重点来源:世纪新能源网 发布时间:2017-01-06 23:59:59

,杜邦光伏与先进材料事业部全球总裁徐成增博士对世纪新能源网表示:PERC技术从2015年开始已经大量被商业化,并有望得到快速发展。2016年底,PERC产能将占p电池的20%。根据客户技术生产计划
,2017 年底PERC产能有望达到P电池的1/3。2017年,光伏产业对平价上网的持续追求,以及分布式光伏的兴起对高转化率电池提出了更多的需求。需要企业进一步提升效率降低成本。今年10月份,协鑫在

【《光伏时代》2017-02·技术学院】光伏组件中的“单多晶”多角度对比来源:亚坦新能 发布时间:2017-01-05 23:59:59

。PID电势能诱导衰减:主要受所在地的温度、湿度和光伏组件两端电压的影响。目前的单晶电池以P为主,这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减,原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂,同时有较多的
20%。目前市面电池中最高效率为N型单晶电池25.6%,P多晶电池最高效率为南京天合的22.13%。金刚线切多晶的产业化应用,可以将多晶硅片成本在现在的基础上再降低15%,配合黑硅表面制绒工艺,通过

亚坦新能大讲堂:光伏组件中的“单多晶”多角度对比来源:阳光工匠光伏网作者:亚坦新能 发布时间:2017-01-05 23:59:59

生产工艺(品牌)、封装材料老化、应用地环境的影响程度,可能会高与电池老化本身。PID电势能诱导衰减:主要受所在地的温度、湿度和光伏组件两端电压的影响。目前的单晶电池以P为主,这种电池在日照2-3周后会
的数据,多晶产品的效率已经突破过去被认为是瓶颈的20%。目前市面电池中最高效率为N型单晶电池25.6%,P多晶电池最高效率为南京天合的22.13%。金刚线切多晶的产业化应用,可以将多晶硅片成本在现在

海润光伏第三十六次(临时)会议决议公告(系列)来源: 发布时间:2017-01-05 09:40:59

元/股。若公司股票在定价基准日至发行日期间发生派息、送红股、资本公积金转增 股本等除权、除息事项,本次发行价格作相应调整。发行价格除权除息的具体调整办法如下:假设调整前发行价格为P0,每股送股或转增
股本数为 N,每股派息/现金分红为D,调整后发行价格为P1,则:派息/现金分红:P1=P0-D送股或转增股本:P1= P0/(1+N)两项同时进行:P1= (P0-D)/(1+N)若上述发行价格低于发行

统筹光伏基地与电网通道建设规划来源:中电新闻网 发布时间:2017-01-03 23:59:59

普遍回稳。三是技术水平不断提升,生产成本逐步降低。今年,我国骨干光伏企业多晶硅生产能耗继续下降,综合成本已降至8万元/吨,行业平均综合电耗已降至80千瓦时/千克,硅烷法流化床法等产业化进程加快;P单晶

一周光伏行业发生的哪些事儿?(2016年12月26日-2016年12月30日索比光伏网一周新闻回顾)来源:索比光伏网 发布时间:2016-12-30 17:35:43

模组 316.6W!乐叶光伏60片PPERC单晶组件功率再创新高 协鑫集成落子越南布局海外电池产能 扩大海外竞争优势 FR:索比光伏网
20亿高端锂电项目金寨县政府与山东润峰集团正式签署项目合作协议 王者归来,英利又活了,2017年携1个GW双面熊猫N型高达24.5%组件再次腾飞 松下拟投资2.6亿美元 与特斯拉合作生产光伏电池及

光伏产业终于崛起 中国将是领跑和受益者来源:观察者 发布时间:2016-12-28 14:18:42

效应将太阳辐射直接转换为电能。太阳能电池实质上是一个大面积的PN结,当光照射到PN结的一个面,例如P面时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度,那么P区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子