P型

22.5%左右，可以有1.5毛左右的单瓦溢价。 二、衰减低。HIT年均衰减0.25%，不到PERC一半。HIT衰减低主要有3方面的原因。 ➢ N型硅片掺磷，没有P型硅片的硼氧对、铁硼对等复合中心

本文参考相关文件，分析认为： 1) P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此需要进行再生处理; 2)单晶PERC电池的光衰以B-O光衰为主，原理上可通过光注入、电注入及掺Ga来解决
硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。 Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出了该缺陷的结构

最后一道技术障碍完全消失，客户最终在性能和成本上完全接受单晶，这也是2019单晶完胜多晶的技术背景。 最近，隆基生产的商用P型Cz-Si单晶PERC电池采用了最新的氢化技术后进行了测试，电池效率实现
了23.83%。 据隆基介绍，该电池由180m厚的p型Cz单晶硅片制造，M2尺寸(156.75156.75mm)，电阻率为0.5-3cm，效率测试采用德国Fraunhofer ISE标准电池在

单晶硅技术路线中目前也有两个分支：P型单晶硅和N型单晶硅。单晶硅中掺磷是N型(电子导电)，掺硼为P型(空穴导电)。 当前技术条件和生成成本综合对比，使用 P型单晶硅材料的PERC电池(双面镀膜

政策和用电增长稳步增长。组件端盈利格局有望得到优化。 国内组件龙头，垂直一体化创造成本优势。公司成立初期以电池片生产销售为主，专注单晶技术路线。2010 年公司便成为全球最大的P 型单晶电池

。主要有： （1）表面沾污（主要是重金属离子和碱金属离子）引起的表面漏电； （2）Si－SiO2界面的正电荷，如钠离子、氧空位，界面态等引起的表面沟道效应，在p型区形成反型层或耗尽层，造成电路漏电

其中的佼佼者。 异质结电池在1997年实现量产：20世纪80-90年代，日本Sanyo(目前已被松下收购)首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结光伏电池，在P型非晶硅和N型单晶硅的p

。使用空气和O2退火的NiO薄膜的器件显示出比N2和Ar退火的更好的光伏性能。 氧过量条件导致更多的p型特性以及更好的电学和界面性质，从而产生更高的光伏性能。当比较空气和O2条件时，空气退火的NiO

，改善钙钛矿膜的形貌和质量，还能有效钝化界面阳离子空位缺陷。基于该空穴传输层的p－i－n型大面积钙钛矿电池和模块电池分别获得了17．49％和12．67％的光电转化效率。

电子和空穴将分别流向n型和p型半导体上的触点，从而在负载中产生负电流以用于发电。相反，在TR电池中，源自非辐射过程的热激发电子和空穴相反流动，因此正电流将流过负载并发电。 蒙迪说：我们正在考虑，如果