P型多晶硅电池

太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19％，日本三菱公司用该法制备电池，效率达16.42%。　　液相外延（LPE）法的原理是通过将
效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个

、一体化制造、一体化安装，而且辅助技术则包括了低能耗、低成本、优质、绿色的建筑材料的技术。低成本长寿命、资源环保型、半导体发光照明灯具，内墙表面的功能化，还有抗结雾结霜的功能，新一代节能环保型的二维化的
家电。 因此，通过建材和资源富有型半导体照明灯具的研发，以及其他有关的材料和细节的研发，还可以在发展一梯化光伏建筑中持续不断地降低房屋造价和增加新的功能，改善居住条件，使新商品房更便

已开始在澳大利亚建造一座70MW的槽型太阳能热发电装置，并计划在以色列建一座200MW的电站，同时正在洽谈在北美洲和另两洲建三座电站，每座200～300MW。Solel公司在澳大利亚的另一目标是
%，实验室最高效率为12%，多结电池为8～10%，实验室最高效率为11.83 %.。由于 生产规模的扩大，生产工艺的改进，晶体硅太阳电池组件的制造成本已降至3～3.5美元/W p，售价也相应降到4~5

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。 （6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和

。常规太阳电池简单装置如图1所示。当N型和P型两种不同型号的半导体材料接触后，由于扩散和漂移作用，在界面处形成由P型指向N型的内建电场。当光照在太阳电池的表面后，能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对

电池 20.1 1′1 多晶硅电池;E"v a0pE"H _ 16 13.5-16bbs.solarzoom.com1X z2Y S{#l 2′210′10
:} Tb9t0c9M2}/s 20.415-1 2′2光伏太阳能论坛 Photovoltaik Solar Forum-?0y6MR6liu'ec10′10(实用型) GaAs

年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原
太阳电池。}/I$Y2] nY}w
j0Tl 目前市场上的主流电池仍然是晶体硅太阳电池，2005年市场份额占95%。其中多晶硅电池52.3%、单晶硅电池38.3%、带硅/片硅电池