P型多晶硅电池
G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9
-氧化亚铜整流器和光电池论文。1941年奥尔在硅上发现光伏效应。1951年生长p-n结，实现制备单晶锗电池。1953年Wayne州立大学DanTrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类
21.1％的转换效率。加拿大太阳能表示，这是p-型单晶硅电池到目前为止所能达到的最高转换效率。该公司采用ELPS电池片生产的光伏组件已被提名为2012年光伏Intersolar奖。ELPS电池通过设计
多晶硅组件加拿大太阳能也将在Intersolar Europe展推出新的CS6A-P组件，而此款组件仅针对屋顶光伏市场。该组件由48片156mm多晶硅电池片组成，功率高达205W。Baron译
的愿望?高效概念是否会被推广应用?硅晶圆的类型是否会简单的从P型多晶转移成P型单晶再到N型单晶，以在未来的2到3年里将转换效率逐渐提升到接近20%的水平? NPDSolarbuzz太阳能光伏
？ 高效概念是否会被推广应用？ 硅晶圆的类型是否会简单的从P型多晶转移成P型单晶再到N型单晶，以在未来的2到3年里将转换效率逐渐提升到接近20%的水平？NPD Solarbuzz太阳能设备季度报告为
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术
）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒
电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
影响早期光致衰减机理P型掺硼晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象最早在30多年前就有相关报道。大量的科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关，大家基本一致的看法是光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体
索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致
0.5-3P型多晶硅片经历制绒、扩散和去磷硅玻璃后，Centrotherm管式PECVD(40KHz)制备SiNx：H薄膜，采用Sentech的SE400测试监控氮化硅在633nm处的折射率以及厚度
外量子效率高于单层膜，底层高折射率电池又会稍高出较低折射率电池(即图中double2高于double1)。这和图2是吻合的，降低电池正表面反射率，从而提高外量子效率。图3单层和双层氮化硅多晶硅电池的
，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅
市况不佳，诸多光伏从业者面临资金周转困难及停产危机等;更重要的是，类单晶的生产良率控制仍然不佳。一位光伏从业者表示，类单晶取代多晶及P型单晶，均符合成为未来趋势的推断，但类单晶在量产上其实仍有诸多点待
，目前类单晶硅的平均效率在18%左右，较之多晶硅电池16%的转化率已高上许多。中国第四大光伏组件生产商阿特斯阳光(CSIQ.NSDQ)一位高管对记者坦言，该公司该效太阳能技术ELPS已让类单晶电池的
