P型单晶
5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷
发射极的优势越来越小，个别选择性发射极技术如硅墨技术、激光选择性发射极逐渐被淘汰出局。 对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型
出局。对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷，能够起到良好的场钝化效果，使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜，一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高，能够提供较强的场钝化能力；另一方面，在高温烧结过程中，AlOx与P型硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层
部分的设计做介绍，其中包括主回路的拓扑结构进行分析，介绍一下全桥逆变电路的工作原理以及逆变器模块的选型，以及相关保护的设计。
4.2 光伏发电逆变系统的拓扑结构
通常单相电压型逆变器主要分为推挽式
~0.95L :蓄电池的维修保养率(通常取0.8)Ka :包括逆变器等交流回路的损失率(通常取0.7,如逆变器效率高可取0.8)本方案选用230W 的单晶硅电池板，则总共需要8 块，总功率为1.84Kw
没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P(positive)型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N(negative)型半导体。黄色
。
2实验设计
本次试验使用的多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m。图1为多晶黑硅太阳能电池的生产流程。首先在80℃浓度10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用
表面制绒是一种更稳定和有效的减反射方法。在工业生产和实验研究中，单晶硅利用各向异性腐蚀在碱液中制绒，硅片表面形成金字塔状结构可以有效地降低硅片表面的光反射率。但是多晶硅晶向不规则，各向同性，不能在碱液中
N型单晶太阳能电池，转换效率22.5%，是目前采用相同技术的太阳能电池当中转换效率最高的产品，且未来也可望量产化。imec的PV部门主任JozefSzlufcik表示，与CrystalSolar的合作
Wafer技术，即透过高吞吐量的磊晶成长技术（epitaxial growth，又称外延生长）直接从原料气体制成单晶硅片，省去制作多晶硅、铸锭、外延片切割的步骤。此技术所生产的硅片被称为
公司Crystal Solar 开发的n型晶片。位于硅谷的Crystal Solar 的Direct Gas to Wafer技术可生产6寸大小、160至180微米厚的单晶硅片，在结晶过程中会有一个
p-n结形成。Crystal Solar的外延晶圆生产工艺通过气体生成单晶硅晶片。该公司声称，这是一种高生产量工艺，会导致低成本/瓦特。IMEC和Crystal Solar宣布的结果表明
60-cell光伏模块可以从效率提升中额外获得6W的电力产出。 2015年，多晶硅产品在晶硅光伏市场中的市场份额为18%，预计这一比例将在2018年提高至25%，其中传统型电池占4%、P型PERC电池占10%，N型超高效率电池占11%。
引起的晶格缺陷使得扩散层表面载流子寿命极低）。2011年，Suniva 首先开发了离子注入太阳电池技术，实现了P型单晶电池18.6%的转换效率并将其推向商业化生产。当然，离子注入技术也可以被应用到
电池技术的研究进展
图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图
2 IBC电池结构及工艺技术
IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P
