N型银浆

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专家解析太阳能光伏发电的原理及特点来源:网络 发布时间:2016-11-08 23:59:59

,它的能量可以被金属中某个电子全部吸收,电子吸收的能量足够大,能克服金属内部引力做功,离开金属表面逃逸出来,成为光电子。硅原子有4个外层电子,如果在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子,就成为N
半导体;若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子,形成P型半导体。当P型和N结合在一起时,接触面就会形成电势差,成为太阳能电池。当太阳光照射到P-N结后,空穴由P极区往N极区移动,电子由N极区向P极

帝科启用全新品牌标识并推出新一代DK91X系列高效正银来源:世纪新能源网 发布时间:2016-10-20 23:59:59

设计线宽下实现良好的印刷性,灵活的玻璃组合让两次印刷更具竞争力。同时DK91D良好的烘干附着力完美满足N双面电池背面印刷的严苛要求,也已实现量产。DK91M 先进无网结印刷正银浆料:帝科凭借专业的

贺利氏光伏和中来光电达成合作协议 共同开发高效N单晶双面电池导电银浆来源: 发布时间:2016-10-17 15:20:59

今天,光伏业界领先的导电银浆的开发者和制造商贺利氏光伏 (Heraeus Photovoltaics) 与中来光电科技 (Jolywood) 签署战略合作协议,协助其高效N单晶双面电池实现投产
,同时贺利氏光伏承诺,基于市场N单晶电池技术路线图,将会和中来光电科技合作研发NPERL、IBC等不同工艺的双面电池需要的导电银浆。中来股份董事长林建伟先生表示:历经8年的磨砺,中来股份已成长为一家

专利申请量和授权量国内光伏行业第一 英利荣获美国能源部SunShot高效电池奖来源:索比光伏网 发布时间:2016-09-13 11:39:45

在此项SunShot计划中,英利将与Picasolar公司合作,作为全球领先的太阳能电池技术供应商,Picasolar公司致力于研发影响光伏行业的新技术,此前已两次获得SunShot奖金,用于开发N
太阳能电池的创新型选择性发射极技术。此次合作,将实现先进的光伏制造水平和氢化选择性发射极技术的结合。 据了解,氢化选择性发射极技术能够提高太阳能电池的转化效率,并减少电池生产过程中银浆的使用量。第三方

英利美国分公司与Picasolar公司获美国能源部SunShot高效电池奖项来源:世纪新能源网 发布时间:2016-09-11 23:59:59

两次获得SunShot奖金,以开发用于n太阳能电池的创新型选择性发射极技术。氢化选择性发射极技术能够提高太阳能电池的转化效率,并同时减少电池生产过程中银浆的使用量。第三方机构的测试表明,此项技术在减少

看不见的杜邦,看得见的改变来源:索比光伏网 发布时间:2016-07-14 14:14:29

) 随着用户要求更加苛刻,杜邦的神浆已经持续开发到PV19x系列,此外,对于不同电池结构与技术,杜邦也不断引领行业创新,持续把效率提升,例如针对局部背钝化电池(PERC)的整体解决方案,以及针对N电池
,而杜邦的市场占有率为25%(杜邦CFC产品的商标是氟利昂),是一款拥有巨大市场的高利润产品。两年后,杜邦推出舒瓦首个环境友好型制冷剂,并带动了一系列CFC替代产品的问世。杜邦最终于1994年停产CFC

江湖风起,谁是正银国产化的那条鲶鱼?来源:世纪新能源网 发布时间:2016-05-26 23:59:59

浆料组合,初期客户测试反馈效率提升明显。同时针对正在爆发的PERC市场,我们全新的玻璃体系已经就位,上海展会(SNEC)之后就会给客户送样。另外针对下一世代N电池的浆料,我们很早就开始布局,最近有了
捷报频传,测试、量产效率大幅领先其他国产正银浆料,比肩甚至高于主流进口厂商正银企业的最新代产品,同时拉力表现非常突出,迅速在一线客户处打开了局面。截止现在,月出货量已经达到5吨以上!实现了国产正银效率

关于召开“第二届中国太阳电池浆料研讨会2016”的通知来源:世纪新能源网 发布时间:2016-02-17 23:59:59

铝浆技术发展趋势与投资机遇3.服务于PERC电池和N电池的先进浆料技术4.光伏导电浆料的国产化与成本降低路径5.导电浆料印刷与烧结技术的创新6.规模化生产银浆与铝浆的品质管控体系7.光伏浆料关键原料

【干货】晶硅光伏电池漏电的主要因素分析来源:索比光伏网作者:李吉 靳迎松等 发布时间:2016-01-27 23:59:59

扩散上了N结,如果不去除周边的N结会导致电池片正负极被周边的N结联接起来,使电池正负极接通,起不到电池的作用了,我们用等离子刻蚀去除太阳能电池的周边结,其腐蚀反应方程为

晶体硅电池漏电原因都有哪些?来源:索比光伏网 发布时间:2016-01-27 13:32:42

过程中发现除了以上三种漏电原因外,还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。 1刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电 扩散工艺中在硅片的上表面和周边都扩散上了N结,如果不去除周边的N结会导致