技术路线转变与技术水平升级将为设备环节带来新的发展机遇。2018-19年PERC产能进入扩产期,相关设备将迎来需求增长。PERC电池的工艺流程包括:沉积背面钝化层、开槽形成背接触。相较常规光伏电池的
晶科保持的23.45%。而不仅在单晶领域,晶科在今年10月也打破了P型多晶太阳能电池转换效率世界纪录(22.04%)。该电池采用了高质量工业级硼掺杂多晶硅片,将陷光、钝化技术及抗光衰等先进技术统一集成在
背面印刷从全面印刷转变为辅栅印刷。这两种升级方案都可以利用现有生产设施快速进行,而无需增加额外的设备。 现有设施也非常适合未来的电池片技术升级,例如N型硅片材料与钝化接触相结合,包括双面技术。这种
12月6日,在江苏召开的第三届N型晶硅电池与钝化接触技术论坛上,业内尖端技术的引领者晋能科技总经理杨立友博士以《晶体硅-非晶硅异质结电池量产技术的发展》为题,向业内展示了晋能科技在异质结技术研发与
百分点。从溢价角度看,PERC技术对于单晶电池的收益更为明显,多晶电池的溢价基本被新增设备的折旧所抵消。 2、N型电池的PERT技术 PERT电池是发射结钝化全背场扩散电池,其结构特点是背表面扩散
PECVD目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
镀膜原理
光照射在硅片表面时,反射会使光损失约三分之一
。如果在硅表面有一层或多层合适的薄膜,利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大为减少,这种膜称为太阳电池的减反射膜(ARC,antireflection coating)。
管式PECVD的原理就是通过脉冲
部分是由于背面电介质去钝效应造成的。IBC太阳能电池正面也发现了这种衰减效应。 就IBC电池而言,至少需要一个浅FSF(正面场; 例如n型Cz-Si电池磷扩散涂层)才能不产生这种效应。 下图3a和
第三届N型晶硅电池与钝化接触技术论坛将于2018年12月6-7日在江苏常州召开。来自新南威尔士大学(UNSW)的专家将参会并作重要报告,介绍N型硅的效率提升及光衰研究。 UNSW研究表明,通过
造成额外晶体伤害。此外,N型电池具备零光致衰减、弱光效应好以及组件稳定性高等特点。最近两年,在N-PERT电池工艺的基础上,德国弗朗霍夫研究所开发出TOPCon (隧穿氧化层钝化接触)技术。通过在
发展战略,尤其近年来该公司也在高效电池领域如N型电池开始加速布局国产化进程,以推进高效电池产业化发展。 1.N型HJT电池设备 据悉,在N型HJT电池设备国产化进程中,目前常州捷佳创已经在论证测试