N型电池组件

。更重要的是，跟晶硅完全不一样，铜铟镓硒是一种独特的技术。它是将严格配比后的铜、铟、镓、硒四种元素合成半导体，依靠原子配比的缺陷来生成P型或N型半导体材料。它对生产工艺的要求非常高。以铜铟镓硒电池为

现在出售的高效多晶硅片的效率已经接近18%，相当于单晶硅片效率范围的下限，这也维系住了多晶产品的竞争力。长期来看，N型单晶硅片与那些基于高效电池工艺的增强型单晶硅片有潜力降低组件每瓦的总成本，并且提高

克服挑战。长期来看，N型单晶矽片与那些基于高效电池制程的增强型单晶矽片有潜力降低模组每瓦的总成本，并且提高单晶矽片市场的增长速度。假设这些技术获得成功，NPD Solarbuzz预计在2015年起单晶电池产量的成长速度将会快于多晶电池，获得更多的终端市场应用及更高的市场占有率。

不断的改善铸锭工艺并且研发新的高效多晶硅片。领先的硅片厂商现在出售的高效多晶硅片的效率已经接近18%，相当于单晶硅片效率范围的下限，这也维系住了多晶产品的竞争力。 长期来看，N型
，所以硅片厂商盈利仍需克服挑战。 预计多晶硅片中短期内将继续主导硅片市场，但基于单晶硅片的高效太阳能电池组件仍然受到安装空间有限的下游项目青睐，并因其高效而售价高于标准的多晶组件

多晶硅片。领先的硅片厂商现在出售的高效多晶硅片的效率已经接近18%，相当于单晶硅片效率范围的下限，这也维系住了多晶产品的竞争力。长期来看，N型单晶硅片与那些基于高效电池工艺的增强型单晶硅片有潜力降低组件每

厂商现在出售的高效多晶硅片的效率已经接近18%，相当于单晶硅片效率范围的下限，这也维系住了多晶产品的竞争力。长期来看，N型单晶硅片与那些基于高效电池工艺的增强型单晶硅片有潜力降低组件每瓦的总成本，并且

电阻;6.采用背面金属点接触结构，以进一步降低背表面的复合损失，提高电池的长波长光谱响应;7.使用N型硅衬底代替P型硅衬底，由于N型硅有高的少数载流子寿命和对某些金属杂质的不敏感性，使N型硅电池有高的

型硅衬底代替P型硅衬底，由于N型硅有高的少数载流子寿命和对某些金属杂质的不敏感性，使N型硅电池有高的稳定性和效率。总之，晶体硅电池已占据了太阳能电池发展和市场的主导地位，其制备技术代表着整个光伏电池工业的制备技术水平，至少在未来15～20年内将持续这种优势地位。

的原因1）去边不彻底、边缘短路2）去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路3）烧结不良，正电极或背电极与硅片接触不良，串联电阻增大4）烧结过度，即将使PN结烧透，短路以上几种有可能在分选

由于雷电波侵入造成的。因此，太阳能光伏电站在进行防雷设计时，必须采取有效措施，防止雷电感应和雷电波侵入。所以，考虑用避雷器等对雷电感应和雷电波侵入进行防护。控制器和逆变器一般采用全户内型，为使光伏电池组件
避雷问题。然而，目前人们尚不能对雷电加以有效利用，而只能对它采取相应的预防性措施，变被动引雷为主动引雷，以减少雷电带来的各种灾害。我国大部分的楼层建筑，防雷措施一般采用避雷带、避雷针和安装阀型避雷器等