N型晶硅电池
标准电池结构中更高的效率水平受限于少数载流子的复合，PERC电池最大化跨越了P-N结的电势梯度，这使得电子更稳定的流动，减少了复合，因此能够得到更高的效率水平。
截止2014年2季度，P型单模块PERC
引入此技术。
2)HIT电池技术
HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5～l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5～10nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极
i-n型a-Si：H膜（膜厚5～10nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的光伏电池。其优势为：（1）低温工艺。所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对
多晶硅生产成本1.2、硅片硅片为多晶硅的下游工序，与多晶硅环节不同，该环节为资本密集型，技术含量不高，产品工艺与投入设备相关，可分为单晶硅片和多晶硅片。1.2.1、产业现状我国是硅片制造大国，2014
都是太阳能通过二次或多次转换而来。唯有光伏转换，是直接通过太阳的辐射将太阳能转换为电能。其发电原理为：在阳光的照射下，半导体硅片内产生电子--空穴对；在P型硅和N型硅形成的PN结的内建电场作用下，空穴
率事件。高效电池已具备规模生产的基础,同时高效电池带来的可变成本及度电成本的下降有望提高其渗透率,预计2015年高效电池市场占有率有望达到37%。N型片盈利能力强,出货比例提高改善公司业绩。公司普通的
硅片的毛利率为5-10%,高于行业平均水平,N型片的价格比一般硅片贵10%左右,N型硅片毛利率达到10%-15%,随着行业回暖,硅片受贸易政策影响较小,毛利率有望回升。目前公司N型硅片出货比例已达40
有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。
与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术
/千瓦时。
展望2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265-270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺
技术、MWT技术、黑硅技术等已在使用或着手研发，部分企业生产的N型电池转换效率已达到22.9%，处于全球先进水平。主流组件产品功率达到255-260W，同比提高近6%。 图表11.2008-2014年
而紧迫的。目前，光伏技术创新已进入活跃期。一方面，普通电池高效化，多晶硅电池已经超过了18%转换效率；另一方面，高效电池产业化，高效电池占比迅速提高，PERC技术、IBC技术、MWT技术、HIT技术
进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业
生产的多晶硅电池转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265-270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续
韩国电子巨头已经与龟尾市达成协议，将斥资4.35亿美元在韩国扩大其电池生产线，计划到2020年，将其N型单晶硅电池生产产能翻三番。LG公司表示，他们将在现有的8条生产线上增加6条生产线，使其
去20年时间积极从事太阳能业务。我们相信，主流消费者已经准备好了接受这种新型能源。LG公司N型单晶硅电池生产产能扩张将使其成为此类高性能太阳能电池的最大生产商。超越目前领先的N型单晶硅电池
）（1）产生原因：组件单串焊接过程中造成的短路；组件层压前，混入了低效电池片造成；硅片使用上错用N型片，无PN结，故EL成像为全黑；（2）成像特点：组件某个位置出现1块或多块电池片呈现全黑现象；（3
中，少子的扩散长度远远大于势垒宽度，因此电子和空穴通过势垒区时因复合而消失的几率很小，继续向扩散区扩散。在正向偏压下，p-n结势垒区和扩散区注入了少数载流子。这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而
化咨询认为，随着晶体硅太阳电池制造技术的不断更新进步，尤其是近年来PERC电池和N型电池等高效电池的兴起，实现十三五规划对效率的要求将不成问题，但这也对导电浆料提出了更高的性能要求。
总的来说，根据
市场格局或将改变。
意见稿还提出了十三五期间太阳能发电效率指标：单晶硅电池的产业化转换效率达到23%以上，多晶硅电池转换效率达到20%以上，新型薄膜太阳能电池实现产业化，热发电效率达到20%左右。亚
