N型晶硅电池
短路电流。不过由于横向电阻增加以及表面浓度降低，该技术需要牺牲一部分填充因子。选择性发射极技术能够同时兼顾高扩散层方块电阻以及填充因子，该技术在电极区域形成的是重掺杂的N型层，极大降低了与金属电极的接触
电阻，有益于改善填充因子，同时在受光区形成的是轻掺杂的N型层，能有效降低N型层的载流子复合，改善短波段的光谱响应，提高开路电压和短路电流。2010左右，该技术在业内曾非常热门，当时与均匀发射极电池相比
应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患明显。国内光伏制造业
不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.60.9元/千瓦时。2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过
、光伏配套产品和光伏电站一体化的完整产业链；五年间，攻克了还原炉国产化、冷氢化、N型电池等一批国际性技术难题，把产业技术优势牢牢锁定在青海这个经济欠发达省份；五年间，通过光伏产业的吸引，青海培育出
满足3600兆瓦电池片的生产需求，但现有铸锭和切片产能仅能够满足100兆瓦晶硅电池生产配套，组件、逆变器产能可满足500兆瓦晶硅电池生产配套能力。总体看，我省晶硅系光伏制造产业呈现两头大、中间小的哑铃
。选择性发射极技术能够同时兼顾高扩散层方块电阻以及填充因子，该技术在电极区域形成的是重掺杂的N型层，极大降低了与金属电极的接触电阻，有益于改善填充因子，同时在受光区形成的是轻掺杂的N型层，能有效降低N型层
是重掺杂的N型层，极大降低了与金属电极的接触电阻，有益于改善填充因子，同时在受光区形成的是轻掺杂的N型层，能有效降低N型层的载流子复合，改善短波段的光谱响应，提高开路电压和短路电流。2010左右，该
产品和光伏电站一体化的完整产业链；
五年间，攻克了还原炉国产化、冷氢化、N型电池等一批国际性技术难题，把产业技术优势牢牢锁定在青海这个经济欠发达省份；
五年间，通过光伏产业的吸引，青海培育出
500兆瓦晶硅电池生产配套能力。总体看，我省晶硅系光伏制造产业呈现两头大、中间小的哑铃型结构，产业体系配套生产能力和效率急需改善和提升。
其次，储能技术急待提升。近年来，我省光伏电站容量以每年百万千瓦的
4月26日，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156156 mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能
金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。天合光能光伏科学与技术国家重点实验室研制的这一破纪录的N型单晶硅大面积IBC电池，采用了先进的背面电极交叉结构设计及
部分的设计做介绍，其中包括主回路的拓扑结构进行分析，介绍一下全桥逆变电路的工作原理以及逆变器模块的选型，以及相关保护的设计。
4.2 光伏发电逆变系统的拓扑结构
通常单相电压型逆变器主要分为推挽式
于Uout=EN2/N1.
然后，VT1、VT4 关断，四个功率开关都处于截止状态。
第三个时刻，VT1、VT4 的控制电压为负值，那么VT1、VT4 关断，处于截止状态。VT2
2016年4月26日，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156156 mm大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破
正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。
天合光能光伏科学与技术国家重点实验室研制的这一破纪录的N型单晶硅大面积IBC电池，采用了先进的背面电极
，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患
光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。
2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池
