N型晶硅电池

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2012年一线太阳能电池厂商有效产能将达26GW来源: 发布时间:2012-05-07 17:53:59

? 高效概念是否会被推广应用? 硅晶圆的类型是否会简单的从P型多晶转移成P型单晶再到N单晶,以在未来的2到3年里将转换效率逐渐提升到接近20%的水平?NPD Solarbuzz太阳能设备季度报告为

列数各类高效晶硅太阳能电池来源:OFweek 发布时间:2012-05-07 10:55:18

的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔(绒面)结构。位于背面的发射区被设计成点状,50m间距,10m扩散区,5m接触孔径,基区也作成同样的形状,这样可减小背面复合。衬底采用n低阻材料(取其表面及体内
晶硅电池在过去20年里有了很大发展,许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中,人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能,如背表面场,浅结,绒面,氧化膜钝化,Ti

列数各类高效晶硅太阳能光伏电池来源: 发布时间:2012-05-07 09:06:56

的发射区被设计成点状,50m间距,10m扩散区,5m接触孔径,基区也作成同样的形状,这样可减小背面复合。衬底采用n低阻材料(取其表面及体内复合均低的优势),衬底减薄到约100m,以进一步减小体内复合
结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池(PESC)的薄氧化层(<10nm)发展到PCC/PERC/PER1。电池的厚氧化层(110nm)。此外,表面V型槽和倒

双层氮化硅减反膜对多晶硅太阳能光伏电池的影响来源: 发布时间:2012-04-25 17:03:43

三方面的优势:作为减反射薄膜;钝化太阳电池表面从而降低表面复合速度;薄膜中丰富的氢可以钝化体内的缺陷态。影响三个优势体现的关键因素之一就是氮化硅中的硅含量。增加硅的含量,折射率n和消光系数k均相
应增高。消光系数k增高,氮化硅的光吸收就会增强,所以高折射率n、高消光系数k的薄膜不适合作为减反膜。空气中,单层减反膜的最佳折射率为1.96。而相应地增加硅的含量,表面钝化作用呈现增强趋势,文献中报道当氮化硅

任丙彦:追逐太阳能光电的奋斗者(图)来源: 发布时间:2012-04-05 16:38:59

发明专利和美国发明专利,解决了P型晶硅太阳能电池10小时光照后的光电转换效率衰减,并研究确立了P型晶硅太阳能电池光衰机理;首次发明在晶体生长过程中利用氩气流场实现N和P型硅单晶棒中心和表皮少子寿命均

任丙彦——为光伏太阳能产业而奋斗来源: 发布时间:2012-04-04 23:59:59

界的光衰难题,获得了中国发明专利和美国发明专利,解决了P型晶硅太阳能电池10小时光照后的光电转换效率衰减,并研究确立了P型晶硅太阳能电池光衰机理;首次发明在晶体生长过程中利用氩气流场实现N和P型

意大利Silfab研究出效率达21%太阳能电池片来源: 发布时间:2012-03-27 15:24:30

已达到21%,并且有超过24%的转换效率的潜力。该结果是通过使用一种低成本的工业生产方法实现的。斑马太阳能电池的概念是基于大面积(156156平方毫米)的n单晶硅硅片,属于黑接点电池片,在向阳一面
并没有任何镀属金属。这意味着,在当今工业主流单晶硅电池技术19-20%的左右转换效率时,而Silfab的斑马技术将从最低21%效率开始,很有可能做到24%以上的效率,同时降低每瓦峰值的生产成本。太阳能电池

国际光伏技术大会系列盘点二:技术创新来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-03-22 14:00:59

事业部第一炉多晶硅锭正式出炉。该锭净重420KG,由其自产的DRZF-450型多晶硅浇铸炉浇铸而成,这标志着天龙光电多晶事业正式迈向市场。苏州中来推出FFC 双面四氟背膜目前,太阳电池组件的有效使用寿命
强度的机理关系,成功开发出太阳电池封装背膜的颠覆性创新成果━━四氟型太阳电池背膜。采用四氟材料和等离子体改性处理工艺开发高性能太阳电池背膜在国内尚属首创。先进的技术才能创造出高品质的产品,颠覆性创新

太阳能光伏技术知识详解来源: 发布时间:2012-03-09 11:39:58

,多晶硅,非晶硅,砷化镓,硒铟铜等。它们的发电原理基本相同,现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N硅,形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅

Solarbuzz:全球光伏太阳能电池技术路线图来源: 发布时间:2012-02-16 11:44:59

环节。实际上,一线厂商对于晶硅电池概念的选择决定了对多晶硅质量,衬底的类型(N或P型,单晶或多晶),硅片的厚度,以及生产使用的工具的基本要求。每一种电池概念也有不同的工艺成本(固定的和可变的),以及