、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆 厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆 厘米( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度
:太阳能级多晶硅。英文名称:Solar-Grade Polysilicon。被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅
(. cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9。
主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产
)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。
被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆. 厘米(. cm);基硼电阻率2600欧姆. 厘米
2600欧姆.厘米(.cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9。主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固
、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆.厘米( . cm);基硼电阻率2600欧姆.厘米( . cm);碳浓度 ;n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度 ;受
、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆.厘米( . cm);基硼电阻率2600欧姆.厘米( . cm);碳浓度 ;n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度 ;受主杂质浓度
:太阳能级多晶硅。英文名称:Solar-Grade Polysilicon。被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅
调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆.厘米(.cm);基硼电阻率2600欧姆.厘米(.cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主
。英文名称:Solar-GradePolysilicon。被调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被
( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9 。主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是
(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米
1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9。主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产晶体硅光伏电池
( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9 。主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产
原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米
(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9 。 主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产晶体硅光伏电池的主要原料
( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米( cm);碳浓度(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度;受主杂质浓度 。 主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产
调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅ink"光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米