MOCVD设备

Azur SSP，并由它准备商业化生产。ISE和Azur SSP使用AIXTRON Planetary作为开发和生产工具，而LayTec的EpiCurveTT 已经成为MOCVD设备的最佳配件用来

50MW，DOE股及到2012年输出量能达到250MW。 另：Spectrolab日前向Veeco订购多套MOCVD设备，生产砷化物和磷化物半导体系统。
Spire Semiconductor赢得美国政府的资金，重新设计化合物半导体电池，努力削减成本并提高效率。MicroLinkDevices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤

50MW，DOE股及到2012年输出量能达到250MW。 另：Spectrolab日前向Veeco订购多套MOCVD设备，生产砷化物和磷化物半导体系统。
Spire Semiconductor赢得美国政府的资金，重新设计化合物半导体电池，努力削减成本并提高效率。Microlink Devices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤

采用有机金属气相外延（MOCVD）的办法,在锗的基底上生长多层外延层。即使大规模生产，也没有原材料短缺的问题。 1厘米见方的砷化镓聚光太阳能电池在500倍聚光下等效于7张12.5厘米见方的硅光电池
。无论从制造的设备成本， 还是材料成本，都较其他成熟的技术方案更具优势，$/W上更接近于每瓦一美元的建造电站的目标价格。 市场： 优势凸现， 订单井喷 目前专业制作砷化镓聚光电池的工厂有

设备有助于他们降低10倍的单芯片成本，这对持续获取光伏电池市场的份额至关重要。 Veeco MOCVD部门副总Sam DiRenzo表示，M-Com的此次订购是个很好的例子，这说明E450有能力制造
黄光高亮度LED、激光二极管等。 附记 据本月8日的最新消息，Veeco宣布台湾的新世纪光电（GPI）已经收到多套TurboDisc K系列GaN MOCVD系统。这些设备对增加GPI的

Epitaxy)设备，在硅基板上沉积化合物半导体单晶层，但材料的确实成份却是个不能说的秘密。Kleiman透露该秘密材料并非砷化镓，因为其1.45eV的能隙不足以在双接面组件中提供最佳转换效率
太多成本。然而他也坦承，分子束外延对于讲究高产量与低成本的应用并非理想的方法，因此计划后期将致力于将此技术转化成可量产的制程，例如有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)，并且希望在三年内将这项技术由实验室转移至生产线。

八研究所副所长王俊朝介绍说：“这两年，我们在研发方面以IC设备为主攻方向，继2006年我们攻下8英寸0.1μm离子注入机后，接下来会往更高端研发。对于LED领域的MOCVD设备，我们正在研发30片级用于

备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。 各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应
制备Cd1-XZnXS来代替CdS，以改善小层的电子亲和力和降低界面态数目。 由于喷涂法制备Cu2S/CdS（Cu2S/Cd1-XZnXS）薄膜太阳电池，不采用真空设备，使工艺得到简化