IQE
(IQE)，为提高OPV的整体性能提供了有力支持。图文信息图1.活性材料的化学结构及其与DA的分子间相互作用。(A) 光活性材料的分子结构以及与介电添加剂(DA)的分子间相互作用。(B)不具有或具有CV
(1cm2)的(A)电流-密度-电压(J-V)特性和(B)IQE光谱。(C)计算的基于D18：N3：L8-BO的器件的激发态极化率(Dp)和偶极矩(Dm)，所述器件不含DA(共混物)或含有具有恒定摩尔比
“SE+PERC”太阳电池的 IQE 测试太阳光谱的波长与其在硅片内的穿透深度呈非比例化正相关，波长为 1000 nm 的红外光在硅片内的有效穿透深度 ( 红外光的能量降为初始值的 1/e，e
为自然常数
内量子效率 IQE 测试，测试结果如图 4 所示。从图 4 中可以看出，当波长大于 900 nm 时，随着波长的增大 IQE 值逐渐降低，但随着反射率的增大，IQE
值也随之提高，这说明背面抛光效果越好
制造能力。SunShot 投资的目标在于到2020年实现每瓦1美元的设置成本。Solar Junction 2月份宣布完成了一轮1920万美元的融资、并且与 IQE 签订了一项独家制造协议。加上这笔
完成一轮投资、赢得一份5MW订单并荣获几个行业奖项。今年早些时候，Solar Junction 和全球领先的外延片供应商 IQE 签署了一份投资与制造协议，将 Solar Junction 市场领先的
Jurvetson)、Advanced Technology Ventures 和 IQE。垂询详情，请访问： http://www.sj-solar.com 消息来源 Solar Junction
科技股份公司（德国）、IQE Silicon Compounds Ltd. （英国）、Iquadrat Informatica S.L.（西班牙）、Instituto de
Junction 与全球领先的半导体晶圆供应商 IQE 正在与欧洲航天局(European Space Agency) 就开发下一代卫星太阳能电池的合同进行协商。Solar Junction 首席执行官 Jim
Weldon 表示：过去一年来，Solar Junction 和 IQE 一直保持密切合作，结成了战略制造合作伙伴关系，共同打造全球最高效的多接面太阳能电池。我们的稀氮化物技术和成效显著的技术路线
集成到产业以后做的选择性背场的效果，从图上的对比，在开路电压和短路电流上，电池的效率大概在0.5左右，我们也是对比了它的IQE的分析，这说明选择性背场在结构上起到了很好的作用。这是我们对正面和背面，因为
小山峰的数量和高度的增加而降低。消除缺陷后的电池内量子效率（IQE）和电性能比未消除缺陷的电池有很大提升。效率最高的黑硅电池效率、开路电压、短路电流密度分别是17.46%、623mV、35.99mA
黑硅表面的反射率，采用SolarCellScan100量子效应测试系统测试太阳能电池的IQE。
图1.多晶黑硅太阳能电池的生产流程
3实验结果和讨论
图2是六个不同条件的黑硅表面形貌
，而与单晶量产功率仅差1个档。量产技术：行业内率先实现四主栅技术的全面量产，并融合自主研发的低位错高纯度J硅片/低电阻焊接技术/IQE匹配封装技术，助力晶科多晶功率行业领先。发电性能 vs 行业单晶：晶科
实现全面量产低电阻焊接技术IQE封装匹配技术3．晶科较行业量产单晶发电性能更优组件电流越高，则电站中线路损耗越高，且组件工作时发热也越高，即组件工作温度更高，从而组件发电量损失越大
实现四主栅技术的全面量产，并融合自主研发的低位错高纯度J硅片/低电阻焊接技术/IQE匹配封装技术，助力晶科多晶功率行业领先。发电性能vs行业单晶：晶科量产多晶较行业量产单晶具有更低的电流，户外发电时线缆
技术-业内率先实现全面量产低电阻焊接技术IQE封装匹配技术3．晶科较行业量产单晶发电性能更优组件电流越高，则电站中线路损耗越高，且组件工作时发热也越高，即组件工作温度更高，从而组件发电量损失越大。从电
