IGBT芯片
展会专业观众讲解三菱电机最新技术)
创新技术引领行业发展
六十年以来，三菱电机之所以能够一直保持行业领先地位在于持续性和创新性的研究与开发。
作为功率元器件的核心，IGBT芯片的重要性不言而喻
。在功率半导体最新技术发展方面，三菱电机IGBT芯片技术一直在进步，第三代IGBT是平板型的构造，第四代IGBT是沟槽性的构造，第五代成为CSTBTTM，第六代是超薄化CSTBTTM，第七代IGBT构造
，以及微处理器。目前有一部分逆变器元件的确已经摆脱进口依赖，但核心元器件(主控芯片、IGBT模块等)基本都还是国外的产品，高端的电容和传感器等功能元件的研发都远远落后于欧美日国家。尽管近年来国内也涌现了
逆变器主流的微处理器是DSP，ARM等，除了有一个华为海思芯片，别的都依赖于进口，逆变器上的控制芯片90%以上是美国的TI、NS、欧洲的ST 这几家。
3)逆变器的心脏，功率器件如MOSFET和
第五代德国英飞凌IGBT，耐压值更高，载流量更强，功率损耗更小。
2) 控制板DSP芯片采用全新美国TI2806系列，支持更高的开关频率技术，采用更先进精密的算法，可以提高MPPT的追踪精度和效率
输出谐波降低到1.5 %，采用LCL滤波器滤除逆变器发出的高频电流，降低对电网的影响，大幅提升三相逆变器的电网友好性。
六、采用最新进口元器件，性能更强
1) IGBT采用最新
动作。 3、IGBT过温保护 当逆变器环境温度过高、逆变器散热不良，持续过热均会导使IGBT损坏。如果器件持续短路，大电流产生的功耗将引起温升，若芯片温度超过硅本征温度(约250℃)，器件将失去
。
1、集中型逆变器
集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的
。当太阳电池组件输出变小，逆变器输出接近0时，逆变器便形成待机状态。
(2)最大功率跟踪控制功能
太阳电池组件的输出是随太阳辐射强度和太阳电池组件自身温度(芯片温度)而变化的。另外由于太阳电池
微处理器。目前有一部分逆变器元件的确已经摆脱进口依赖，但核心元器件(主控芯片、IGBT模块等)基本都还是国外的产品，高端的电容和传感器等功能元件的研发都远远落后于欧美日国家。尽管近年来国内也涌现了许多的
硅片，不怕美国制裁，实际上美欧一直在限制组件成品出口，但没有什么成效，但如果美国限制芯片卖到中国，确实对组件影响不大，因为组件里面没有芯片，组件制造的设备，现在也几乎国产化了，所以组件不用担心
近两年时间，8G DDR4的价格从300元最高冲至一千元，即便现在也稳定在700元左右。
2017年，三星芯片业务销售额达690亿美元，推翻了英特尔25年的霸主地位，成为全球最大的芯片制造商。韩国人
全球封测代工第三;南车株洲的8英寸IGBT生产线正式投产，在昆明地铁完成运行调试;就连生下来就发烧的雷军也成立了松果科技，研发手机处理器澎湃系列。这中间，怎么能少了一腔热血的赵总呢?
2011年4月
电力电子和微电子技术的发展，特别是半导体开关器件，以及微处理器。目前有一部分逆变器元件的确已经摆脱进口依赖，但核心元器件(主控芯片、IGBT模块等)基本都还是国外的产品，许多功能元件的研发都远远落后
%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，90%主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。
4、其他产品
高端的电流传感器，冷却风扇，光藕，驱动芯片，大部分也是进口的。
目前国内
上矗立起一个具有国际先进水平的研发、生产基地。2014年6月，中国首条8英寸IGBT专业生产线在此建成并即将投产。这意味着，在世界大功率半导 体高等级的芯片领域，首次有了中国人自主研制的芯片，它的成功投产
的提高，这些领域对其核心器件的寿命和可靠性有了更高的要求。英飞凌Advantage系列产品采用了最新一代超快速开关IGBT芯片，延长了焊机的使用寿命，提高了焊机的可靠性，为客户提高了终端产品竞争力，为
实现焊接自动化打下重要基础。此外，英飞凌在IGBT芯片和模块生产方面拥有30多年的经验。Advantage系列产品是英飞凌针对焊接应用量身定制的一款新品，该产品全部在欧洲制造生产，不仅具有性能优化的
