HIT

薄膜电池尚未形成绝对优势时，将是单晶硅太阳能电池的黄金五年。技术突破脚步加快2015年，太阳能电池在技术上取得众多傲人成就：首先是松下北美推出的96片HIT太阳能电池组件，是市场上少数批量生产的异质结

铝电极正面镀银加厚栅指电极退火测试2.3、HIT电池1997年，日本三洋公司（Sanyo）推出了一种商业化的高效太阳能电池设计和制造方法，如图5所示。该电池以n-型晶体硅材料为基底材料，并在两侧沉淀本
征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜，形成n-型硅和非晶硅异质结结构（HIT）太阳电池。非晶硅（a-Si：H）材料的带宽在1.7eV左右，远大于晶体硅1.1eV的带宽，因此此种HIT电池结构对于电池表面

点。 国内所有光伏电站投资机构或者单位大家有点重头轻尾，很多人一直压EPC的价位，直接压低投资成本，其实对整个光伏系统质量的打压。像采购单晶产类产品和常规多晶硅也是有差价，包括高效移植hit技术等等都是一个

索比光伏网讯:当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面
的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机物异质结太阳能电池采用在硅基底上旋涂相应的导电有机物，再沉积上、下金属电极的简单途径即可

流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗

效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦

）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6-0.9元/千瓦时

效率已达19.3%，多晶硅达17.8%。 未来效率的提升会显著放缓，技术的进步主要依靠制备技术的更新换代。目前，具备大规模生产应用基础的高效电池技术包括PERC电池技术以及HIT
引入此技术。 2)HIT电池技术 HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5～l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5～10nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极

放缓，技术的进步主要依靠制备技术的更新换代。目前，具备大规模生产应用基础的高效电池技术包括PERC电池技术以及HIT电池技术，此外钙钛矿电池作为科研界的明星同样被业界看好。1）PERC电池技术PERC
已开始运用PERC技术大规模生产电池，我国大部分企业已落后，仅晶澳、乐叶等一线企业在积极引入此技术。2）HIT电池技术HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5～l0nm）和背面侧的

平准化发电成本（美元/MWh）那么光伏发电的成本能否再降呢？答案是肯定的。随着钙钛矿电池、HIT、PERC、IBC电池技术等新型高效率电池工艺的逐步应用，未来光伏的每瓦成本仍有很大下行空间。我们将在第