1. 三菱电子研制出转化效率达到18.9%的多晶硅电池; 2. Silicon Genesis生产出150um的“Kerf-free”硅片; 3. First
加利福尼亚州圣何塞消息——工程基片工艺和技术的领先者Silicon Genesis今天宣布,它已生产出首家20um厚度太阳能电池箔。研究发现,这种125毫米见方的单晶硅箔既耐用,又有很高的柔性
系统概念和20um基片成果已在《光子》(PHOTON)杂志最近在德国慕尼黑举办的“第四届光伏技术展”上展出。
关于SiGen
Silicon Genesis Corporation
SiGen将向NorSun提供采用了PolyMax “无切痕”技术的高产量薄光伏晶圆制造设备工程衬底工艺与技术领域的领先者Silicon Genesis Corporation (SiGen) 今天
的无切痕晶圆。该协议还包含向NorSun供应HVM生产设备的商业条款。 Silicon Genesis总裁兼CEO Francois Henley说:“与NorSun签署的协作与供应协议是我们的
工程衬底硅片工艺技术领域的领先企业Silicon Genesis公司日前宣布,其新设立的太阳能开发与试验生产基地已开始生产前所未有的“无切损”(kerf-free)150um太阳能电池衬底硅片。该
工程衬底硅片工艺技术领域的领先企业Silicon Genesis公司今天宣布,其新设立的太阳能开发与试验生产基地已开始生产前所未有的“无切损”(kerf-free)150um太阳能电池衬底硅片
Genesis Corporation (SiGen) 是向半导体、显示器、光电子器件和太阳能市场提供工程衬底工艺技术的一家领先提供商。SiGen的技术用于生产“绝缘硅”(SOI) 半导体晶圆,以用于
美国商业资讯2008年11月6日加州圣何塞消息—— 工程衬底硅片工艺技术领域的领先企业Silicon Genesis公司今天宣布,其新设立的太阳能开发与试验生产基地已开始生产
Photovoltaic Conference)上亮相。 关于SiGen Silicon Genesis Corporation (SiGen) 是向半导体、显示器、光电子器件和太阳能市场提供工程衬底
Silicon Genesis Corporation (SiGen)8月14日宣布其与挪威奥斯陆的Renewable Energy Corporation (REC)公司签署合作与设备
。与REC联合签署的关于大量制造系统的设计指南也将公布。 Silicon Genesis公司总裁兼首席执行官Francois Henley说:“我们很高兴能与REC公司共同评估我们的PolyMax
开发SOI(SiliconOnInsulator)晶圆技术的美国SiliconGenesis公司2008年7月11日宣布,成功研制出使用“PolyMax”晶圆工艺技术的太阳能电池底板。该公司将使用该技术,涉足太阳能电池晶圆市场。 利用PolyMax技术的晶圆制造设备,除消除切割损失,大幅减少将硅锭切割成晶圆的工序中多结晶硅的使用量之外,还能够在晶圆制造过程中省去部分费用较大的
开发SOI(Silicon On Insulator)晶圆技术的美国Silicon Genesis公司2008年7月11日宣布,成功研制出使用“PolyMax”晶圆工艺技术的太阳能电池
索比光伏网讯: 美国商业资讯2008年7月11日美国加利福尼亚州圣何塞消息—— 工程衬底工艺与技术领域的领先公司Silicon Genesis (SiGen) 今天宣布,它已使
Genesis Corporation (SiGen) 是向半导体、显示器、光电子器件和太阳能市场提供工程衬底工艺技术的一家领先提供商。SiGen的技术用于生产“绝缘硅”(SOI) 半导体晶圆,以用于高性能应用