Ge衬底

相比，碲化镉薄膜电池具有较低的制造成本，这主要是由其电池结构、原材料及制造工艺等方面决定的。首先，碲化镉薄膜电池是在玻璃或是其它柔性衬底上依次沉积多层薄膜而形成的光伏器件。与其他太阳能电池相比
，碲化镉薄膜太阳能电池结构比较简单，一般而言，其电池由五层结构组成，即玻璃衬底、透明导电氧化层（TCO层）、硫化镉（CdS）窗口层、碲化镉（CdTe）吸收层、背接触层和背电极（见图1）。碲化镉薄膜电池的简单结构

。这增强了红外线的转换效率。这些材料出色的地方在于，他们能够与一系列的半导体材料和基材进行晶格匹配，包括如今多结太阳能电池最常见的衬底砷化镓（GaAs）和Ge。鉴于稀氮化物可以与砷化镓或锗进行晶格匹配

价格/产生功率之比下降的区域。谈及成本问题的一个途径是工程采用的衬底。现在，所有的CPV太阳能电池都采用锗(Ge)衬底。当产业努力向150mm Ge衬底技术转移时，设计基于150mm和200mm硅片上

努力。相关内容包括：效率20％以上低成本超薄晶体硅电池产业化制造技术，效率10%以上薄膜电池产业化制造技术，高倍率聚光电池及发电关键技术，柔性衬底硅基薄膜太阳电池中试制造技术，非真空电沉积柔性CIGS
国际水平的成套工艺技术，建成年产能5MW卷对卷式柔性衬底CIGS薄膜电池生产线、MW级柔性铜铟镓硒硫薄膜太阳电池生产线、电化学法沉积CIGS薄膜太阳电池示范生产线、涂覆-热处理法制备CIGS太阳电池

太阳电池技术正朝着高效率、稳定和长寿命的方向努力。相关内容包括：效率20％以上低成本超薄晶体硅电池产业化制造技术，效率10%以上薄膜电池产业化制造技术，高倍率聚光电池及发电关键技术，柔性衬底硅基薄
年产能100MW。（3）规模化铜铟镓硒薄膜太阳电池成套制造工艺技术研发突破规模化铜铟镓硒（硫）薄膜太阳电池生产线中的关键设备设计与制造瓶颈，开发具有国际水平的成套工艺技术，建成年产能5MW卷对卷式柔性衬底

提供借鉴。四大因素制约高聚光太阳能产业发展高倍聚光电池芯片一般采用Ge衬底，利用MOCVD外延工艺，分波段吸收太阳光以提高转换效率。目前，我国还不能大规模生产高聚光太阳能电池。中国光伏产业联盟的一位

，我国高聚光太阳能产业还面临一系列挑战。光电产业发展较为迅速的厦门积累了许多经验，未来有望为其他地区提供借鉴。四大因素制约高聚光太阳能产业发展高倍聚光电池芯片一般采用Ge衬底，利用MOCVD外延工艺，分

，我国高聚光太阳能产业还面临一系列挑战。光电产业发展较为迅速的厦门积累了许多经验，未来有望为其他地区提供借鉴。 　　四大因素制约高聚光太阳能产业发展 　　高倍聚光电池芯片一般采用Ge衬底，利用MOCVD

的瓶颈，我国高聚光太阳能产业还面临一系列挑战。光电产业发展较为迅速的厦门积累了许多经验，未来有望为其他地区提供借鉴。 　　四大因素制约高聚光太阳能产业发展 　　高倍聚光电池芯片一般采用Ge衬底

聚光太阳能产业还面临一系列挑战。光电产业发展较为迅速的厦门积累了许多经验，未来有望为其他地区提供借鉴。　　四大因素制约高聚光太阳能产业发展 高倍聚光电池芯片一般采用Ge衬底，利用MOCVD外延工艺，分波段吸收