Ge衬底

engineering of Ge-based nanoelectronics 以卷首插图(Frontispiece)形式于3月25日在Advanced Functional Materials上发表(25
(12): 1805-1813, 2015; DOI: 10.1002/adfm.201404031)。SOI材料课题组于2013年首次实现了锗基衬底CVD生长大尺寸连续单层石墨烯(Sci. Rep.

。而砷化镓电池的人理论转换效率可以达到40%，但是其较硅质在物理性质上要更脆的特性，使得其加工时比较容易碎裂。在应用上常把其制成薄膜，并使用衬底（常用Ge），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的

在物理性质上要更脆的特性，使得其加工时比较容易碎裂。在应用上常把其制成薄膜，并使用衬底（常用Ge），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。 附上晶硅电池的产业化最高转换效率统计表。受制

中广泛应用，近几年在GaAs基长波长雷射器中也有应用。值得一提的是，倒置的赝形层多结太阳能电池结构（IMM）是EMCORE公司的专利技术（见图3），它采用倒置的方法生长和Ge或GaAs衬底匹配的
GaInP和GaAs结，InGaP首先被淀积在基于Ge衬底的子电池上面。这种设计保持了GaInP/GaAs结的品质，它对整个器件总的发电能力具有决定性的作用。倒置赝性三结结构据称可与多项其它工艺相容，如柔性

专利技术（见图3），它采用倒置的方法生长和Ge或GaAs衬底匹配的GaInP和GaAs结，InGaP首先被淀积在基于Ge衬底的子电池上面。这种设计保持了GaInP/GaAs结的品质，它对整个器件总的发电能力

要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，常把其制成薄膜，并使用衬底(常为Ge)，来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。

他太阳能电池相比，碲化镉薄膜电池具有较低的制造成本，这主要是由其电池结构、原材料及制造工艺等方面决定的。首先，碲化镉薄膜电池是在玻璃或是其它柔性衬底上依次沉积多层薄膜而形成的光伏器件。与其他太阳能电池
相比，碲化镉薄膜太阳能电池结构比较简单，一般而言，其电池由五层结构组成，即玻璃衬底、透明导电氧化层(TCO层)、硫化镉(CdS)窗口层、碲化镉(CdTe)吸收层、背接触层和背电极(见图1)。碲化镉薄膜

%（10cm10cm），GaAs电池20.1%（lcmcm），GaAs/Ge电池19.5%（AM0），CulnSe电池9%（lcm1cm），多晶硅薄膜电池13.6%（lcm1cm，非活性硅衬底），非晶硅电池8.6

衬底，成本很难降得下来。全世界进行多晶硅薄膜电池产业化的企业也只有一家，最后也因组件效率做不上去（＜10%），成本降不下来而终止。非晶硅薄膜电池是几个薄膜电池中最早实现产业化的一个技术，生产技术相对
，一共花了15年时间。案例二，美国通用电气公司（GE）收购的PrimeStar公司，从2006年开始研发，后来GE总部和4个全球中心都有团队投入碲化镉的研究，每年投入的研发费用高达3000万美元。现在

，不适合做薄膜电池；高质量的多晶硅薄膜需要在高温下制备,不能采用廉价的玻璃等作为衬底，成本很难降得下来。全世界进行多晶硅薄膜电池产业化的企业也只有一家，最后也因组件效率做不上去（＜10%），成本降不下来而
，2002年开始批量生产碲化镉组件，（当时组件效率只有7-8%）整整花了11年，再到2006年上市，一共花了15年时间。案例二，美国通用电气公司（GE）收购的PrimeStar公司，从2006年开始