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太阳能科技是如何迅速发展直至入侵影视界的?来源:光伏问问 发布时间:2015-12-14 08:35:59

工作后,能量用尽。于是来到自己工作间的屋顶,展开折叠式的太阳能电池板为自己充电。 虽然我们猜测不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代,但从剧照来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携
GaInP/GaAs/Ge太阳能电池,在任务开始时,电池效率为27.5% 不过早在2012年,就有消息传出,机遇号的太阳能电池板被尘土覆盖。电池板产能从900W每小时下降至不足300W每小时。机遇号

透视好莱坞:太阳能光伏如何“入侵”科幻影视界?来源: 发布时间:2015-12-14 00:06:59

来到自己工作间的屋顶,展开折叠式的太阳能电池板为自己充电。虽然我们猜测不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代,但从剧照来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际
产品出现在我们的生活中了。而现实生活中,与WALLE最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了,这两个火星机器人于2004年登录火星,上面搭载了前文提到的三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池

透视好莱坞:进击的太阳能光伏大片来源:光伏问问 发布时间:2015-12-13 23:59:59

中,WALLE连续工作后,能量用尽。于是来到自己工作间的屋顶,展开折叠式的太阳能电池板为自己充电。虽然我们猜测不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代,但从剧照来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种
的三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池,在任务开始时,电池效率为27.5%不过早在2012年,就有消息传出,机遇号的太阳能电池板被尘土覆盖。电池板产能从900W每小时下降至不足300W每小时。机遇

电影中的太阳能发电技术来源:太阳库 发布时间:2015-10-20 08:39:59

不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代,但从上面的截图来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际产品出现在我们的生活中了。 而现实生活中,与
WALL-E最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了,这两个火星机器人于2004年登录火星,上面搭载了三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池,在任务开始时,电池效率为27.5%。 6、高达

【趣闻】走进电影的太阳能发电来源: 发布时间:2015-10-20 00:09:59

太阳能电池板为自己充电,虽然我们猜测不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代,但从上面的截图来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际产品出现在我们的生活中了。而
现实生活中,与WALL-E最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了,这两个火星机器人于2004年登录火星,上面搭载了三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池,在任务开始时,电池效率为27.5%。6

上海微系统所在柔性Si/Ge纳米带确定性组装方面获进展来源:世纪新能源网 发布时间:2015-09-10 23:59:59

索比光伏网讯:近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在柔性Si/Ge纳米带确定性组装方面获得新进展。课题组提出了边缘-剪切转移(Edge-Cutting
Transfer)技术,成功地实现了柔性Si/Ge纳米带在柔性基底上的可控转移及确定性组装。相关研究成果以Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge

【盘点】那些出现过太阳能发电场景影视作品来源: 发布时间:2015-06-19 09:31:59

第几代,但从上面的截图来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际产品出现在我们的生活中了。而现实生活中,与WALL?E最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了
,这两个火星机器人于2004年登录火星,上面搭载了三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池,在任务开始时,电池效率为27.5% 。6高达00公元2307年,地球的化石燃料枯竭了。经过将近半个世纪的建设

出现太阳能发电场景的八大电影来源:光伏能源圈 发布时间:2015-06-19 08:00:14

,虽然我们猜测不出2700年太阳能电池技术已经进化到了第几代,但从上面的截图来看,还是以圆形晶片为衬底的。这种折叠形式的便携野外充电用的组件也已经有实际产品出现在我们的生活中了。 而现实生活中
,与WALLE最相似的要数美国的火星探测机器人勇气号和机遇号了,这两个火星机器人于2004年登录火星,上面搭载了三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池,在任务开始时,电池效率为27.5

高倍聚光技术最新进展来源:《太阳能发电》杂志 发布时间:2015-05-15 09:57:41

III-V族半导体材料的多结芯片(如三结GaInP/InGaAs/Ge)。低倍聚光(LCPV)系统的聚光比一般小于100,通常使用高效的单晶硅芯片,采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统,本文对此不作重点
比较厚。具体来说,广泛使用的III-V族聚光芯片结构,是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge,这种材料不仅地面聚光光伏使用,在太空上也已经是成熟的应用了。这种器件是利用产出效率很高的气相外延生长

高倍聚光光伏技术最新进展来源:《太阳能发电》 发布时间:2015-05-14 13:42:40

(HCPV)系统采用高聚光比模组和双轴跟踪系统(统计至2014年11月)。 所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间,采用III-V族半导体材料的多结芯片(如三结GaInP/InGaAs/Ge
,可以把材料做得非常薄。对比硅材料,硅是间接半导体材料,吸收光子的能力比较低,硅片通常要作的比较厚。 具体来说,广泛使用的III-V族聚光芯片结构,是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge