CdTe薄膜

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新太阳能技术的专利竞争愈演愈烈,CIGS和CPV处于领先地位来源:世纪新能源网 发布时间:2015-07-23 23:59:59

)在所有的新太阳能技术专利竞争中处于领先的地位。除了 CIGS和CPV,此报告涵盖的新太阳能技术还包括CdTe(碲化铬), TF-Si (薄膜硅)和有机光伏(OPV),铜鋅锡硫(CZTS),燃料敏化
太阳能技术》中,Innova Research对超过10000个过去五年(2010 2014)间提交的全球太阳能技术专利进行了深入的分析。结果显示,铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能技术和聚光光伏(CPV

钙钛矿光伏市场预计2025年达到2.14亿美元来源: 发布时间:2015-07-23 14:05:59

尚未做好生产准备,仍然疲于应付如稳定性和铅毒性问题,因为铅的替代物转换效率低。钙钛矿太阳能电池效率的快速提升使得可以把钙钛矿太阳能电池与领先的薄膜光伏技术,如碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)和
、量身定制的形状因素、薄膜、轻重量和加工成本。这些功能开始削弱许多竞争对手技术的独特性,使得这些竞争技术更难以进入应用市场。解决技术难题的机会。然而,钙钛矿光伏技术还没有作好商业化准备,甚至器件结构尚未

2025年钙钛矿光伏市场将达2.14亿美元来源:中国国防科技信息网 发布时间:2015-07-23 14:02:04

,钙钛矿光伏技术尚未做好生产准备,仍然疲于应付如稳定性和铅毒性问题,因为铅的替代物转换效率低。钙钛矿太阳能电池效率的快速提升使得可以把钙钛矿太阳能电池与领先的薄膜光伏技术,如碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒
:柔性、半透明、量身定制的形状因素、薄膜、轻重量和加工成本。这些功能开始削弱许多竞争对手技术的独特性,使得这些竞争技术更难以进入应用市场。解决技术难题的机会。然而,钙钛矿光伏技术还没有作好商业化准备

CIGS产业:2016年将在薄膜电池领域独占鳌头来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2015-07-21 14:30:59

(铜铟硒镓)薄膜太阳能电池、碲化镉(CdTe薄膜太阳能电池,除此以外还有未大规模生产的染料敏化薄膜太阳能电池。图表1:薄膜太阳能电池产品分类资料来源:OFweek行业研究中心  2004年后,全球光伏

CIGS薄膜光伏电池——竞争中国市场有几分胜算?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2015-07-19 23:59:59

CdTe等为主打的太阳能电池量产的转换效率明显低于晶硅电池,加之2009年前后多晶硅产能相对过剩价格暴跌,薄膜电池在与晶硅电池竞争中一直处于下风。CIGS薄膜太阳能电池作为薄膜电池中的重要一员,经过

CIGS薄膜光伏电池:逐鹿中国市场胜算几何?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2015-07-16 09:19:46

硅基薄膜CdTe等为主打的太阳能电池量产的转换效率明显低于晶硅电池,加之2009年前后多晶硅产能相对过剩价格暴跌,薄膜电池在与晶硅电池竞争中一直处于下风。 CIGS薄膜太阳能电池作为薄膜

【秘笈】光伏领跑者计划全解析来源: 发布时间:2015-07-07 09:44:59

%;2.高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;4.多晶硅、单晶硅和薄膜
产品应达到以下指标:1.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;2.高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;3硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换

“光伏领跑者计划”最全资料及分析来源:无所不能 发布时间:2015-07-07 09:02:17

组件光电转换效率不低于28%; 3.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%; 4.多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自

全方位解析“光伏领跑者计划”来源:无所不能 发布时间:2015-07-06 23:59:59

单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%;2.高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8
硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。另附普通光伏项目指标为:(根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》)1.多晶硅电池组件和

光伏产业转型升级 光伏行业面临重新洗牌来源:电力决策与舆情参考 发布时间:2015-07-06 23:59:59

最大输出功率的比值。《意见》明确,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%;高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其
薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%,之后每年衰减率不高于0.7%,项目全