CVD

多晶硅，此外还包括对现有冷氢化反应流化床(FBR)系统和多晶硅还原炉CVD的升级改造。GT的冷氢化系统升级可提高TCS原产量达25%以上。GT最新的CVD还原炉升级技术可以减少电力消耗最高达25%。这些

沉积法(CVD)价格仍然高企。有关石墨烯的制备方法主要包括10 种。目前液相氧化还原法是量产的主要制备方法，制备的石墨烯价格可降至10 元/g 以下，成品多为粉材、浆料，可间接成膜，适合中低端应用
。另一种可量产的方法为气相沉积法(CVD)，这种方法可直接制备石墨烯薄膜，质量更高，性能更好，但价格非常昂贵，未来若技术进步、需求放大带动规模效应，成本有望快速降低。 关注标的。对A股而言仍是新兴产业

应用的产业化取得破冰，将为医药、军工等多领域将带来突破性进展。液相氧化还原法是量产的主要制备方法，气相沉积法(CVD)价格仍然高企。有关石墨烯的制备方法主要包括10 种。目前液相氧化还原法是量产的主要
制备方法，制备的石墨烯价格可降至10 元/g 以下，成品多为粉材、浆料，可间接成膜，适合中低端应用。另一种可量产的方法为气相沉积法(CVD)，这种方法可直接制备石墨烯薄膜，质量更高，性能更好，但价格

清洁玻璃膜层的性能和可靠性，与材料和其制造工艺都有密切关系。目前国内外制造超亲水自清洁玻璃的方法有很多种，包括脉冲激光沉积（PLD）法、化学气相沉积（CVD）法、化学液相沉积（CLD）法和溶胶凝胶
气相反应使含钛混合气体在玻璃沉积，生成结晶的纳米TiO2薄膜。采用CVD法制成的薄膜具有容易结、致密性好、纯度高等优点，非常适合规模化生产。同时工艺和沉积参数的调控可以实现精确控制薄膜杂量的效果，沉积

高的不足，不能满足工业化和规模化生产要求。 此后，人们想到制备石墨烯未必要使用石墨，只需要设法让碳原子结成一层薄膜。化学气相沉积法（CVD）应运而生，这种方法是将乙烯或乙炔等气体导入到一个反应腔内
，让这些气体在高温下分解，经过冷却后，碳原子就沉积在基底表面形成石墨烯，最后用化学腐蚀法除去金属基底，或用卷对卷的方法将其转移到高分子薄膜上。 虽然CVD能满足规模化制备大面积、高质量的石墨烯要求

，价格将上升，然而由于以下几个因素，今年年底市场行情依然难以确定。 Corrine Lin 表示：首先，中国和美国持续性的光伏贸易争端以及反倾销和反补贴关税的审查结果（AD/ CVD）仍悬而未决。其次

切屑。现在，单晶硅锭的价格在2000日元/kg左右，其中1000日元/kg以上会变成切屑。此次开发的技术直到在三氯硅烷中混合H2，都跟原来的方法相同。不过，此后是利用化学气相沉积法（CVD）在实施了

，SiNx膜被制备在硅的表面起到两个最用，其一是减少表面对可见光的反射；其二，表面钝化作用。PECVD技术的分类用来制备SiNx膜的方法有很多种，包括：化学气相沉积法（CVD法）、等离子增强化学气相沉积

材料课题组围绕石墨烯层数控制问题，结合Ni和Cu在CVD法中制备石墨烯的特点，利用两种材料对碳溶解能力的不同，设计了Ni/Cu体系（即在25 m厚的Cu箔上电子束蒸发一层300 nm的Ni )，并利用
退火后成功实现了单、双层石墨烯的制备。与传统的CVD制备石墨烯工艺相比，离子注入技术具有低温掺杂、精确的能量和剂量控制和高均匀性等优点，采用离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响，与气体的体积

系统所SOI材料课题组围绕石墨烯层数控制问题，结合Ni和Cu在CVD法中制备石墨烯的特点，利用两种材料对碳溶解能力的不同，设计了Ni/Cu体系（即在25 m厚的Cu箔上电子束蒸发一层300 nm的Ni
石墨烯)，经退火后成功实现了单、双层石墨烯的制备。与传统的CVD制备石墨烯工艺相比，离子注入技术具有低温掺杂、精确的能量和剂量控制和高均匀性等优点，采用离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响