CVD

系统所SOI材料课题组围绕石墨烯层数控制问题，结合Ni和Cu在CVD法中制备石墨烯的特点，利用两种材料对碳溶解能力的不同，设计了Ni/Cu体系（即在25 m厚的Cu箔上电子束蒸发一层300 nm的Ni
石墨烯)，经退火后成功实现了单、双层石墨烯的制备。与传统的CVD制备石墨烯工艺相比，离子注入技术具有低温掺杂、精确的能量和剂量控制和高均匀性等优点，采用离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响

(12): 1805-1813, 2015; DOI: 10.1002/adfm.201404031)。SOI材料课题组于2013年首次实现了锗基衬底CVD生长大尺寸连续单层石墨烯(Sci. Rep.

的应对方案您认为是否已经见效？ 天合光能：美国的AD&CVD双反分2012年及2014年，或者说case I and Case II,针对不同产品范围的中国光伏产品的对美出口。目前公司选择适用

ALC-PECVD设备采用的CVD托盘尺寸是1,150mm1,450mm，如图2.所示，在整面的托盘上放置平面基板，镀8nm厚的膜层均匀性可以达到3.3%，整个托盘面积上的膜厚均匀性对于高产能的批量生产
寿命 vs. 少数载流子浓度。少数载子浓度（MCD）为2E15时的少子寿命为2.6ms。 图2:镀8nm厚的膜层在整面CVD托盘内的均匀性可达3.3% 2.2 反应等离子沉积(RPD) 入

石墨烯的制备方法中，化学气相沉积法（CVD）因兼有高质量和宏量制备的优点已成为石墨烯生长的最重要方法之一。最近，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室与北京大学、北京师范大学和清华大学的相关科研人员
利用CVD方法在高质量石墨烯的可控制备方面取得重要系列进展，有关研究结果发表在Adv. Mater.及Adv. Funct. Mater.上。级次结构石墨烯的叠层生长：采用CVD方法，以液态铜为催化剂

叠加至同一项调查中，从而达到含蓄地规避美国的AD/CVD（反倾销/反补贴税）法案的目的。这种做法是极为错误的，从贸易政策角度来看也是极为危险的。此次案件过程中所出现的进一步问题与SolarWorld所

(SolarWorld所提出的)三占二提议，甚至有可能是涉及面更广的提议。三占二提议本质上是通过将来自不同国家的单独、独立的产品叠加至同一项调查中，从而达到含蓄地规避美国的AD/CVD(反倾销/反补贴税

索比光伏网讯: 独特的Saphira APF CVD硬掩膜工艺助力先进存储器件的制造 韩国PSK公司的OMNIS去胶机可完全清除Saphira APF硬掩膜，同时保留高深宽比结构 两者
CVD*系统沉积出的Saphira APF *硬掩膜，以及利用PSK公司的 OMNIS去胶机清除Saphira硬掩膜的工艺。该解决方案目前已开始销售，其合二为一的创新理念无疑成为精密材料工程在复杂

年四月，IDEA宣布，其将在沙特阿拉伯建设一家多晶硅工厂。最初，其考虑使用Schmid Silicon Technology的甲硅烷化学气相沉积(CVD)，之后其转变为Sitec
(Centrotherm Group)的三氯氢硅CVD概念(西门子法)。显然，IDEA已经意识到现在并非进入多晶硅市场的正确时间，供过于求步步逼近。其次，基于甲硅烷或三氯氢硅，一个新的进入者无法回击启用成熟的西门子法的