CVD

、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。 值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大，例如

、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。 值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大

。 HIT生产线核心设备有望近期实现国产化：HIT的4大工艺步骤制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD设备(PECVD为主、HWCVD较少)、PVD/RPD设备

铸锭炉主要用于生产太阳能光伏电池所需的单晶硅棒，多晶硅锭。 捷佳伟创：国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备供应商，主要产品是管式PECVD，罐式高温扩散炉，单多晶制绒设备。 北方华创：泛半导体领域的刻蚀机，PVD,CVD扩散炉等，广泛应用于光伏，半导体

生产设备供应商，主要产品是管式PECVD，罐式高温扩散炉，单多晶制绒设备。 北方华创：泛半导体领域的刻蚀机，PVD,CVD扩散炉等，广泛应用于光伏，半导体

2021年底量产有望达到24.8%-25%，叠层电池效率有望突破30%。HJT是十年长周期的好赛道。 HJT战略第一步：研制大产能CVD、PVD，实现整线设备国产化，打通整线工艺，降低CAPEX。迈为进入

Trichlorosilane/TCS 分子式 SiHCl3)，用西门子公司发明的钟罩式还原炉(化学气相沉积法(CVD)还原炉)，炉里倒插上一根根像很长的大音叉的硅芯，再盖上大钟罩。 三氯氢硅通过管道导入

IEC 60891(2020 CVD)相关程序修正等效电池温度的方法，还讨论了双面组件背面辐照不均匀性对于测量的影响，并要求依照IEC 60904-1-2所述的针对双面组件计算出的等效辐照度来修正等效

技术路线首选，蒋方丹介绍道，目前大硅片在HJT上的应用障碍是量身定做的设备，例如CVD和PVD，但这只是时间问题。 但同时，蒋方丹也提出了当下异质结技术产业化仍面临诸多挑战，量产
产能的核心设备如CVD和PVD也将进一步成熟，因此2021年下半年预计将吸引GW级的HJT产能扩充，单个项目几个GW的大规模产业化预计在2022年。 面对即将全面平价的十四五以及2060年碳中和目标

设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD、新增50套HJT电池镀膜设备(PAR)。 上述超高效新型电池设备产业化项目合计耗资约16亿元左右，捷佳伟创称将提升公司在高效新型晶体硅太阳能电池设备尤其在