CIGS（铜铟镓硒）

正常发电。这对于传统的瓦片来说，几乎是不可想象的。 单玻三曲瓦在美式建筑上的应用效果 汉能的单玻汉瓦采用了全新的第九代CIGS柔性薄膜太阳能芯片，功率稳定，轻薄高效，并采用了POE铝制背板
。在过去的一年，汉能在薄膜太阳能芯片的研发和量产效率方面又创造了3项世界纪录：砷化镓单结量产组件效率已经达到25.1%;铜铟镓硒玻璃基全面积组件效率已经达到18.72%，柔性溅射法冠军组件效率已经达到

2009年开始，公司已经专注薄膜太阳能领域，多年来积极投入与研发最先进薄膜太阳能技术。公司目前已掌握全球最领先的铜铟镓硒(CIGS)和砷化镓(GaAs)技术，具有领先装备产线的研发、设计及交付能力
关键新材料发展等多项文件，分别将铜铟镓硒薄膜电池、高效砷化镓电池、薄膜太阳能电池制造装备、高效光伏电池、铜铟镓硒及砷化镓材料等列为战略发展重点。公司所研制开发之薄膜太阳能电池制造装备及铜铟镓硒、砷化镓

铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅电池。 上图是模拟5-85℃下，同一块晶硅太阳能电池的的电流、电压、功率输出曲线(模拟
在初始转换效率的70%～85%左右。 对于HIT及CIGS太阳能电池，则几乎没有光致衰减。 四、灰尘、雨水遮挡 大型光伏电站一般建设在戈壁地区，风沙较大，降水很少，同时清理的频率不会太高，长久

项目，最低资本金比例为20%。 现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。 《条件》还明确，现有光伏制造企业及项目未满足规范条件要求的，根据产业转型升级的要求，在国家产业政策的

》(2018版)：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。 变化七 《光伏制造行业规范条件》(2013版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。 《光伏制造行业规范条件》(2015版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别

、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。 6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权
16PPMA。 3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%。 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于17%和17.8%。 5.硅基、CIGS