CIGS薄膜组件
太阳能组件封装整体解决方案。从传统的晶硅、薄膜组件到新型的CIGS、背电极电池组件，从背板、EVA、胶带产品到镀膜涂层、柔性组件封装材料，3M产品线非常丰富。在太阳能组件生产的环节除了电池片、铝框
节省材料、人工及安装费用，另外因其优良的密封性能使得采用EVA取代PVB变为可能，成为薄膜组件封装节约成本的最优方案。增透率高达2.5-3%的太阳能玻璃增透抗污涂层产品 -- 3MTM GC-202
钧石的薄膜组件在过去一年中出现了很多问题，包括功率损失、运输及安装时出现破裂等，汉能的薄膜组件质量还有待进一步观察。汉能除了采用铂阳的设备外，也在其他工厂采用了欧瑞康的硅基薄膜生产线以及CIGS生产线
，总投资额逾1亿元人民币;6月5日，由中国汇通担保有限公司、台湾威奈科技股份有限公司联合投资1.5亿美元的CIGS薄膜太阳能电池生产线、太阳能电站及太阳能相关系列产品生产项目正式签约;此外，天威薄膜公司
太阳能电池制造商Q-Cells旗下Sunfilm公司与Sontor公司宣布联手建立世界上最大的硅基多结薄膜组件公司。薄膜太阳能电池投资热并没有因市场的暂时低迷而降温，人们看好的是：在光电建筑
年产120MW铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件生产线，建设期18个月；二期项目建设太阳能资源研发大厦及生产配套设施等。行业分析公司NanoMarkets认为CIGS技术已经准备好迎接黄金期，CIGS薄膜组件
不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无隔离变压器型逆变器最大转换效率要求不低于97%，含变压器型逆变器最大转换效率要求不低于95%，并鼓励采用高发
，将提升光伏发电效率今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至
%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无隔离变压器型逆变器最大转换效率要求不低于97%，含变压器型逆变器
6%提高至不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无隔离变压器型逆变器最大转换效率要求不低于97%，含变压器型逆变器最大转换效率要求不低于95%，并鼓励
。
短期利好并网设备公司
今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于
面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无
一、电池组件（一） 性能要求1. 晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2. 工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前
(一)性能要求1.晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2.工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前）不低于组件标称功率
