CIGS薄膜电池

单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；2.高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；3.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8
硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。另附普通光伏项目指标为：（根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》）1.多晶硅电池组件和

最大输出功率的比值。《意见》明确，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%，之后每年衰减率不高于0.7%，项目全

的领跑者计划光伏产品市场准入标准实施。具体为多晶硅和单晶硅电池组件转换效率分别达到16.5%和17%以上，高倍聚光光伏组件达到30%以上，硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件转化率分别达到12

实施。具体为多晶硅和单晶硅电池组件转换效率分别达到16.5%和17%以上，高倍聚光光伏组件达到30%以上，硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件转化率分别达到12%、13%、13%和12%以上

标准实施。具体为多晶硅和单晶硅电池组件转换效率分别达到16.5%和17%以上，高倍聚光光伏组件达到30%以上，硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件转化率分别达到12%、13%、13%和12%以上

《意见》中明确的领跑者计划光伏产品市场准入标准实施。具体为多晶硅和单晶硅电池组件转换效率分别达到16.5%和17%以上，高倍聚光光伏组件达到30%以上，硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件转化率

薄膜太阳电池技术代表了光伏技术的发展方向。在今后较长一段时间里，会出现薄膜太阳电池与晶硅太阳电池共存的局面，但是薄膜光伏产品将很快会在市场上扩大份额，并快速增长，最终以铜铟镓硒(CIGS)等为代表的
》)引起行业热议。庄大明认为，《意见》中对薄膜太阳能的扶持体现了国家的技术导向，未来铜铟镓硒等薄膜电池市场占有率将逐步提高，从而促进中国光伏智造业的转型升级。 薄膜技术能耗更低，将主导行业未来

薄膜太阳电池技术代表了光伏技术的发展方向。在今后较长一段时间里，会出现薄膜太阳电池与晶硅太阳电池共存的局面，但是薄膜光伏产品将很快会在市场上扩大份额，并快速增长，最终以铜铟镓硒(CIGS)等为代表的
议。庄大明认为，《意见》中对薄膜太阳能的扶持体现了国家的技术导向，未来铜铟镓硒等薄膜电池市场占有率将逐步提高，从而促进中国光伏智造业的转型升级。薄膜技术能耗更低，将主导行业未来在过去十年中，我国

。报告建议美国政府应该转向薄膜太阳能这种面向未来的技术，降低晶硅电池成本这种短期研究已没有太大价值。 薄膜发电降低成本潜力巨大，将成为太阳能主导技术 从市场现状来看，目前较大的薄膜电池
。目前，商业化薄膜材料的光吸收效率为单晶硅的10-100倍，因而其材料只有几微米厚。对生产碲化镉（CdTe）的美国FirstSolar，生产铜铟镓硒（CIGS）的日本SolarFrontier和中国汉能

的稀有金属铟、镓资源储备和产出国，CIGS薄膜电池量产所需材料可以100%自给;其次，基于CIGS在下游终端市场的表现和上游制造环节的技术优势，CIGS产业化大纲早被国家科技部列为十二五光伏规划中