《光伏制造行业规范条件》企业名单内。2.申请进入《北京市延庆区分布式光伏发电项目备选产品名录》的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%、3%和5%,之后每年衰减率不高于0.7%,25年内
效率分别不低于16.5%和17%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内
组件光电转换效率不低于28%;(三)硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别
%,之后每年衰减率不高于0.5%,项目全生命周期内衰减不高于10%。(四)硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;自项目投产运行
之日起,一年内衰减不高于2%,之后每年衰减率不高于0.5%,项目全生命周期内衰减不高于10%。(四)硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11
组件光电转换效率不低于28%; (三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%; (四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起
效率不低于28%;(三)硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率分别不高于2.5
聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;(三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%;(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年
15.5%和16%;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3、硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;4、多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自
光电转换效率分别不低于15.5%和16%;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;3、硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;4、多晶硅
,领跑者先进技术产品应达到以下指标:1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;3、硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉